[发明专利]一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法以及在能量储存材料中的应用在审
| 申请号： | 201910627613.0 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110228821A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 严满清;谢非;毕红 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01B32/15;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 230601 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法以及在能量储存材料中的应用，是将一定摩尔比的钼源、硫源、碳源和水充分混合搅拌至均一溶液，得到前驱体溶液；将所得前驱体溶液转移至高压反应釜中，高温高压反应，反应结束后将反应液过滤洗涤，干燥后得到碳点掺杂的1T二硫化钼粉末。本发明所制得的1T相二硫化钼杂化材料展示出良好的电化学性能和催化吸波性能，具有广阔的工业化应用的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 能量储存材料 前驱体溶液 制备 诱导 掺杂 二硫化钼粉末 高温高压反应 电化学性能 反应液过滤 高压反应釜 工业化应用 充分混合 均一溶液 吸波性能 杂化材料 掺杂的 摩尔比 硫源 钼源 催化 洗涤 应用 展示 | ||
【主权项】：
1.一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法，其特征在于：将一定摩尔比的钼源、硫源、碳源和水充分混合搅拌至均一溶液，得到前驱体溶液；将所得前驱体溶液转移至高压反应釜中，高温高压反应，反应结束后将反应液过滤洗涤，干燥后得到碳点掺杂1T二硫化钼粉末。
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