[发明专利]一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法以及在能量储存材料中的应用在审
| 申请号： | 201910627613.0 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110228821A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 严满清;谢非;毕红 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01B32/15;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 230601 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 能量储存材料 前驱体溶液 制备 诱导 掺杂 二硫化钼粉末 高温高压反应 电化学性能 反应液过滤 高压反应釜 工业化应用 充分混合 均一溶液 吸波性能 杂化材料 掺杂的 摩尔比 硫源 钼源 催化 洗涤 应用 展示 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳点掺杂诱导1T相二硫化钼的制备方法，其特征在于：
将一定摩尔比的钼源、硫源、碳源和水充分混合搅拌至均一溶液，得到前驱体溶液；将所得前驱体溶液转移至高压反应釜中，高温高压反应，反应结束后将反应液过滤洗涤，干燥后得到碳点掺杂1T二硫化钼粉末。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤1：前驱体的制备
将钼源、硫源、碳源和去离子水充分混合搅拌获得均一的前驱体溶液；
步骤2：1T二硫化钼的制备
将前驱体溶液转移至高压反应釜中，并将反应釜移至烘箱中，在220℃的高温高压下反应10h；待反应结束后，使用乙醇与去离子水将反应釜的黑色液体过滤洗涤多次，最后40℃干燥得到碳点掺杂1T二硫化钼粉末。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：
步骤1中，所述钼源为七水合钼酸铵，所述硫源为硫脲，硫源和钼源的摩尔比2:1，质量分别为2.28和1.24g；所述碳源为一水合柠檬酸，其质量为2.48g，去离子水的添加量为50mL，220℃的高温高压下反应10h。
4.一种权利要求1、2或3中任一种制备方法制备得到的碳点掺杂1T相二硫化钼的应用，其特征在于：是将其作为能量储存材料使用。
5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于：
是将其作为超级电容器的电极材料使用，具有优异的电化学性能性能。
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