[发明专利]一种LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910623827.0 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110299413A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件及制造方法，包括衬底及形成于该衬底上的漂移区；位于漂移区上的阻挡绝缘介质层和导电层，位于衬底上的栅极多晶硅及导电层；位于导电层上的接触孔；导电层通过接触孔中的金属与第一金属层连接；漂移区设有N型重掺杂区，N型重掺杂区位于阻挡绝缘介质层远离栅极多晶硅的一侧。本发明的LDMOS场板介质层和场板导电层横向尺寸一致，因此无需额外增加光罩数，该器件具有两个不同厚度场板介质层的场板，因此相比于传统的LDMOS器件，能获得更好的BV‑Rsp关系。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 漂移区 场板 衬底 绝缘介质层 栅极多晶硅 接触孔 介质层 阻挡 第一金属层 尺寸一致 传统的 厚度场 光罩 制造 金属 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述器件至少包括：衬底及形成于该衬底上的漂移区；位于所述漂移区上的阻挡绝缘介质层；位于所述阻挡绝缘介质层上的导电层；位于所述衬底上的栅极多晶硅；所述栅极多晶硅上设有所述导电层；位于所述导电层上的接触孔；位于所述栅极多晶硅上的导电层以及位于所述阻挡绝缘介质层上的导电层分别通过接触孔中的金属与第一金属层连接；所述漂移区设有N型重掺杂区，所述N型重掺杂区位于所述阻挡绝缘介质层远离所述栅极多晶硅的一侧。
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