[发明专利]一种LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述器件至少包括：

衬底及形成于该衬底上的漂移区；位于所述漂移区上的阻挡绝缘介质层；位于所述阻挡绝缘介质层上的导电层；

位于所述衬底上的栅极多晶硅；所述栅极多晶硅上设有所述导电层；

位于所述导电层上的接触孔；位于所述栅极多晶硅上的导电层以及位于所述阻挡绝缘介质层上的导电层分别通过接触孔中的金属与第一金属层连接；

所述漂移区设有N型重掺杂区，所述N型重掺杂区位于所述阻挡绝缘介质层远离所述栅极多晶硅的一侧。

2.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述阻挡绝缘介质层与其上的导电层之间还存在有多晶硅层，所述阻挡绝缘介质层、该阻挡绝缘介质层上的多晶硅层以及该多晶硅层上的导电层三者长度相同。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述阻挡绝缘介质层及位于其上的导电层二者长度相同，并且二者与所述N型重掺杂区存在交叠区。

4.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述阻挡绝缘介质层、该阻挡绝缘介质层上的多晶硅层以及该多晶硅层上的导电层与所述N型重掺杂区存在交叠区。

5.根据权利要求1或2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述N型重掺杂区与所述漂移区上的所述阻挡绝缘介质层之间存在位于所述漂移区中的横向间隔区，该横向间隔区中设有与所述阻挡绝缘介质层存在交叠的STI场板介质层。

6.根据权利要求1或2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述N型重掺杂区与所述漂移区上的所述阻挡绝缘介质层之间存在横向间隔区，该横向间隔区的所述漂移区上表面设有与所述阻挡绝缘介质层存在交叠的台阶氧化层。

7.根据权利要求1至6中任意一项的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成漂移区；

步骤二、在所述衬底上形成栅极多晶硅；

步骤三、在所述漂移区中形成N型重掺杂区；

步骤四、在所述栅极多晶硅与所述N型重掺杂区之间的所述漂移区上表面形成阻挡绝缘介质层；之后在所述阻挡绝缘介质层以及所述栅极多晶硅上形成导电层；

步骤五、在所述导电层上形成接触孔并填充金属，之后形成与所述接触孔连接的第一金属层。

8.根据权利要求7所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤一中在所述衬底上形成漂移区之前，先在所述衬底上形成STI场板介质层，所述STI场板介质层落入所述漂移区内。

9.根据权利要求7所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤一中在所述衬底上形成漂移区之前，先在所述衬底上形成台阶氧化层，所述台阶氧化层位于所述漂移区上表面。

10.根据权利要求8或9所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤一中形成所述漂移区的同时还会在所述衬底上所述漂移区远离所述N型重掺杂区的一侧形成P型体区。

11.根据权利要求10所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤二中在所述衬底上形成栅极多晶硅的方法包括：先在所述衬底上通过热氧化形成栅绝缘介质层，在所述栅绝缘介质层上淀积多晶硅层并刻蚀形成所述栅极多晶硅；之后在形成的所述栅极多晶硅上淀积绝缘介质层并刻蚀形成侧墙。

12.根据权利要求11所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：在形成所述N型重掺杂区的步骤三中还会在所述P型体区形成P型重掺杂区。