[发明专利]一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺

摘要

本发明公开了一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，涉及硅太阳能电池制造领域，所述玛雅PECVD机台包括氧化铝反应仓室、氮化硅反应仓室，氧化铝反应仓室用于在硅片表面镀氧化铝薄膜，氮化硅反应仓室用于在氧化铝薄膜表面镀氮化硅薄膜，包括以下步骤：步骤一，真空升温处理；步骤二，工艺温度参数设定；步骤三，气体流量参数设定；步骤四，射频功率参数设定；步骤五，在步骤二至步骤三的参数设定完成后，保持石墨载板连续进出玛雅PECVD机台；步骤六，机台饱和，在上述参数条件下，饱和玛雅PECVD机台1小时，具备不影响玛雅PECVD机台产量，不需要改造设备的前提下降低由于玛雅PECVD机台保养而产生的EL黑斑黑点问题。

主权项

1.一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，在PECVD反应仓室内进行，所述PECVD机台包括氧化铝反应仓室和氮化硅反应仓室，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，抽真空处理，PECVD机台保养完毕后，将氧化铝反应仓室和氮化硅反应仓室的仓盖盖上进行抽真空；步骤二，机台饱和工艺条件设定，将PECVD机台的工艺带速设为185cm/min～200cm/min、氧化铝反应仓室温度设为400℃～450℃、氧化铝反应仓室压强设为0.11～0.14mbar、氮化硅反应仓室温度设为300℃、氮化硅反应仓室压强设为0.11～0.14mbar；步骤三，机台内反应流量参数设定，所述氧化铝反应仓室包括第一气路、第二气路，将第一气路的笑气流量设为700sccm～900sccm、TMA流量设为0mg/min、氩气流量设为0sccm/min，将第二气路的笑气流量设为700sccm～900sccm、TMA流量设为0mg/min、氩气流量设为0sccm/min；步骤四，机台内射频功率和左右占空比参数设定，将氧化铝反应仓室第一气路的射频功率设为2500W～2800W、氧化铝反应仓室第一气路的左右占空比分别设为6/17、6/18、将氧化铝反应仓室的第二气路的射频功率设为2500W～2800W、氧化铝反应仓室的第二气路的左右占空比分别设为6/17、6/18；步骤五，机台饱和，在步骤二、步骤三、步骤四的工艺参数条件下，保持石墨载板连续进出PECVD机台，静置PECVD机台1小时。