[发明专利]一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺

权利要求书

1.一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，在PECVD反应仓室内进行，所述PECVD机台包括氧化铝反应仓室和氮化硅反应仓室，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，抽真空处理，PECVD机台保养完毕后，将各个仓体的仓盖盖上进行抽真空；

步骤二，机台饱和工艺条件设定，将PECVD机台的工艺带速设为185cm/min～200cm/min、氧化铝反应仓室温度设为400℃～450℃、氧化铝反应仓室压强设为0.11～0.14mbar、氮化硅反应仓室温度设为300℃、氮化硅反应仓室压强设为0.11～0.14mbar；

步骤三，机台内反应流量参数设定，所述氧化铝反应仓室包括第一气路、第二气路，将第一气路的笑气流量设为700sccm～900sccm、TMA流量设为0mg/min、氩气流量设为0sccm，将第二气路的笑气流量设为700sccm～900sccm、TMA流量设为0mg/min、氩气流量设为0sccm；

步骤四，机台内射频功率和左、右两端的占空比参数设定，将氧化铝反应仓室第一气路的射频功率设为2500W～2800W、氧化铝反应仓室第一气路的左、右两端的占空比分别设为6/17、6/18、将氧化铝反应仓室的第二气路的射频功率设为2500W～2800W、氧化铝反应仓室的第二气路的左、右两端的占空比分别设为6/17、6/18；

步骤五，机台饱和，在步骤二、步骤三、步骤四的工艺参数条件下，保持石墨载板连续进出PECVD机台，静置PECVD机台1小时。

2.根据权利要求1所述的一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，其特征在于：所述PECVD机台采用的型号为玛雅MAIA背镀机台。

3.根据权利要求1所述的一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，其特征在于：所述石墨载板采用长6片、宽4片共装载24片硅片的长方形石墨载板。

4.根据权利要求3所述的一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，其特征在于：所述硅片为P型单晶硅片或多晶硅片中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，其特征在于：所述步骤二中将氧化铝反应仓室的工艺带速设为185cm/min，氧化铝反应仓室温度设为450℃，氧化铝反应仓室压强设为0.14mbar。

6.根据权利要求1所述的一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，其特征在于：所述步骤三将第一气路的笑气流量设为800sccm、TMA流量设为0mg/min、氩气流量设为0sccm，将第二气路的笑气流量设为800sccm、TMA流量设为0mg/min、氩气流量设为0sccm。

7.根据权利要求1所述的一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，其特征在于：所述步骤四中将氧化铝反应仓室第一气路的射频功率设为2800W，氧化铝反应仓室第一气路的左、右两端的占空比分别设为6/17、6/18，将氧化铝反应仓室的第二气路的射频功率设为2800W，氧化铝反应仓室的第二气路的左、右两端的占空比分别设为6/17、6/18。