[发明专利]一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺

说明书

本发明公开了一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，涉及硅太阳能电池制造领域，所述玛雅PECVD机台包括氧化铝反应仓室、氮化硅反应仓室，氧化铝反应仓室用于在硅片表面镀氧化铝薄膜，氮化硅反应仓室用于在氧化铝薄膜表面镀氮化硅薄膜，包括以下步骤：步骤一，真空升温处理；步骤二，工艺温度参数设定；步骤三，气体流量参数设定；步骤四，射频功率参数设定；步骤五，在步骤二至步骤三的参数设定完成后，保持石墨载板连续进出玛雅PECVD机台；步骤六，机台饱和，在上述参数条件下，饱和玛雅PECVD机台1小时，具备不影响玛雅PECVD机台产量，不需要改造设备的前提下降低由于玛雅PECVD机台保养而产生的EL黑斑黑点问题。

技术领域

本发明涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺。

背景技术

PERC技术，即钝化发射极背面接触，通过在太阳能电池背面形成钝化层，可大幅降低背表面电学复合速率，形成良好的内部光学背反射机制，提升电池的开路电压、短路电流，从而提升电池的转换效率。PERC太阳能电池已成为高效太阳能电池的主流方向。PERC电池的核心是在硅片背面镀一层氧化铝薄膜，并在氧化铝薄膜上覆盖一层氮化硅薄膜以对氧化铝薄膜进行保护。PECVD机台的作用是用来镀氧化铝和氮化硅薄膜。在生产过程中玛雅PECVD机台需要定期保养，保养后需要对仓体进行饱和。PERC太阳能电池经丝网印刷后需要对电池片进行EL测试，EL测试正常的电池片为A级片，EL测试异常的电池片需要降级。EL黑斑黑点是EL降级电池片的一种类型，EL黑斑黑点的多少直接影响电池片的A级率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，具备不影响玛雅PECVD机台产量，不需要改造设备的前提下降低由于玛雅PECVD机台保养而产生的EL黑斑黑点问题。

为了实现以上目的，本发明采用的技术方案是：一种低EL黑斑的PECVD机台饱和工艺，在PECVD反应仓室内进行，所述PECVD机台包括氧化铝反应仓室和氮化硅反应仓室，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，抽真空处理，PECVD机台保养完毕后，将各个仓体的仓盖盖上进行抽真空；

步骤二，机台饱和工艺条件设定，将PECVD机台的工艺带速设为185cm/min～200cm/min、氧化铝反应仓室温度设为400℃～450℃、氧化铝反应仓室压强设为0.11～0.14mbar、氮化硅反应仓室温度设为300℃、氮化硅反应仓室压强设为0.11～0.14mbar；

步骤三，机台内反应流量参数设定，所述氧化铝反应仓室包括第一气路、第二气路，将第一气路的笑气流量设为700sccm～900sccm、TMA流量设为0mg/min、氩气流量设为0sccm，将第二气路的笑气流量设为700sccm～900sccm、TMA流量设为0mg/min、氩气流量设为0sccm；

步骤四，机台内射频功率和左、右两端的占空比参数设定，将氧化铝反应仓室第一气路的射频功率设为2500W～2800W、氧化铝反应仓室第一气路的左、右两端的占空比分别设为6/17、6/18、将氧化铝反应仓室的第二气路的射频功率设为2500W～2800W、氧化铝反应仓室的第二气路的左、右两端的占空比分别设为6/17、6/18；

步骤五，机台饱和，在步骤二、步骤三、步骤四的工艺参数条件下，保持石墨载板连续进出PECVD机台，静置PECVD机台1小时。

为了进一步优化本发明，可优先选用以下技术方案：

优选的，所述PECVD机台采用的型号为玛雅MAIA背镀机台。

优选的，所述石墨载板采用长6片、宽4片共装载24片硅片的长方形石墨载板。

优选的，所述硅片为P型单晶硅片或多晶硅片中的一种。