[发明专利]用于超高密度芯片FOSiP封装的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910614561.3 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110323197A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王新;蒋振雷;陈坚 | 申请（专利权）人： | 王新;蒋振雷;陈坚 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L25/16;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张超 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，从上至下依次设置塑封层、精密铜互联层和重新布线层，塑封层内塑封有若干带有金属触点的芯片或器件，精密铜互联层具有由双凹槽构成的互联结构，沿塑封层表面垂直方向靠近塑封层的截面大小小于远离塑封层的截面大小，重新布线层在其介电层所在一层形成能够和精密铜互联层电学互联的金属连接结构，金属连接结构穿过介电层并延伸出有机物介电层部分作为触点，触点上设置锡球。本发明还公开了此种扇出封装结构的制备方法。采用本发明的设计方案，可以把具有超精细引脚结构的高端精密裸芯片方便地进行扇出型集成封装，也进一步缩小了封装体积。 | ||
| 搜索关键词： | 塑封层 精密 铜互联层 介电层 封装 金属连接结构 重新布线层 芯片 触点 制备 表面垂直方向 从上至下 封装结构 互联结构 集成封装 金属触点 依次设置 引脚结构 有机物 电学 超精细 裸芯片 扇出型 双凹槽 高端 扇出 塑封 锡球 穿过 互联 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，其特征在于：从上至下依次设置塑封层、精密铜互联层和至少一层重新布线层，精密铜互联层具有由双凹槽叠加构成的金属互联结构，沿塑封层表面垂直方向靠近塑封层的截面大小小于远离塑封层的截面大小，重新布线层在其介电层所在一层形成能够和精密铜互联层电学互联的金属连接结构，金属连接结构穿过介电层并延伸出有机物介电层部分作为触点，触点上设置锡球。
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