[发明专利]用于超高密度芯片FOSiP封装的结构及其制备方法

权利要求书

1.一种用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，其特征在于：从上至下依次设置塑封层、精密铜互联层和至少一层重新布线层，精密铜互联层具有由双凹槽叠加构成的金属互联结构，沿塑封层表面垂直方向靠近塑封层的截面大小小于远离塑封层的截面大小，重新布线层在其介电层所在一层形成能够和精密铜互联层电学互联的金属连接结构，金属连接结构穿过介电层并延伸出有机物介电层部分作为触点，触点上设置锡球。

2.根据权利要求1所述的用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，其特征在于：双凹槽叠加的方向为沿塑封层、精密铜互联层和重新布线层叠加的方向。

3.根据权利要求1所述的用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，其特征在于：所述金属连接结构为“工”字形，且设置的方向为沿塑封层、精密铜互联层和重新布线层叠加的方向。

4.根据权利要求1所述的用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，其特征在于：塑封层内塑封有若干带有金属触点的裸芯片或者无源被动元件。

5.根据权利要求4所述的用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，其特征在于：所述裸芯片或无源被动元件之中至少一个伪管芯。

6.一种如权利要求1所述的用于超高密度芯片FOSiP封装的结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)先在临时载片表面粘附临时键合胶层；

2)在步骤1)得到的临时键合胶层上面贴装裸芯片或无源被动元件；

3)根据裸芯片或无源被动元件上具有pad引脚的器件面的朝向，制作塑封层；

4)塑封体制作精密铜互联层；

5)在精密铜互联层上制作重新布线层；

6)在重新布线层的焊盘引出的金属衬垫处放置锡球，实现衬垫与锡球的电学连接；

7)采用激光或热剥离的办法将临时载片与其上的封装体分离；

8)进行切割得到单独的封装体。

7.根据权利要求6所述的用于超高密度芯片FOSiP封装的结构的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，若裸芯片或无源被动元件的器件面朝上，裸芯片或无源被动元件的pad引脚上方需要预先制作有凸起的金属焊盘；然后对贴装好的裸芯片或无源被动元件进行塑封，形成塑封层，并对塑封层进行减薄，使裸芯片或无源被动元件的表面的pad焊盘凸点裸露出来；如果裸芯片或无源被动元件的器件面朝下，在贴装后对裸芯片或无源被动元件进行塑封，然后移除下方的临时载片和临时键合胶层，并将塑封层翻转过来，就可以使裸芯片或无源被动元件的表面的焊盘裸露出来。

8.根据权利要求6所述的用于超高密度芯片FOSiP封装的结构的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中，精密铜互联层的制作具体包括以下步骤：

4.a)先在塑封层上使用化学气相沉积CVD涂覆一层介电层；

4.b)在介电层上涂覆一层光刻胶；

4.c)对光刻胶进行光刻和显影工艺以形成凹槽，凹槽所对应的位置即为裸芯片或无源被动元件上面需要引出的凸点焊盘的位置、或者是需要与其它芯片的管脚进行电学互联的凸点焊盘的位置；

4.d)使用刻蚀Etch的方法对光刻胶上有凹槽的位置的介电层进行刻蚀，形成介电层上的第一凹槽；

4.e)用刻蚀的方法去除光刻胶；

4.f)重复上述5.b到5.e相同的工艺步骤，进一步的在介电层上第一凹槽的区域再制作底面大小小于第一凹槽底面的第二凹槽，第二凹槽贯穿当前介电层，使得叠加的第一凹槽和第二凹槽共同贯穿整个介电层，第二凹槽的位置与其下方裸芯片或无源被动元件的引脚位置相对应，从而使得其下方的裸芯片或无源被动元件的引脚裸露出来，在裸芯片或无源被动元件引脚上方形成了精细的连接通孔；

4.g)在连通通孔内淀积一薄层金属种子层，并在金属种子层上电镀形成铜互联结构线；

4.h)然后对表面进行研磨，去除多余的金属种子层，使得铜互联结构线的顶部和介电层的端面齐平，同时也对表面进行平坦化的作用。