[发明专利]一种NandFlash驱动方法

摘要

本发明涉及NandFlash驱动领域，公开了一种NandFlash驱动方法，用以在RAM较小的MCU上实现NandFlash的坏块管理。本发明将NandFlash划分活动区和备用区，并在MCU的ROM中开辟两个空闲区域，空闲区域用于存储NandFlash的逻辑地址‑物理地址映射表，其中，映射表的索引即对应NandFlash的物理块，其值为对应NandFlash物理块的状态，物理块的状态均含有：标记该块是否为坏块的坏块标记F1，该块对应的目标地址F2；在判断到NandFlash的该块损坏时，在备用区中使用一个好块替换掉对应的坏块，同时在逻辑地址‑物理地址映射表中更新坏块标记F1和目标地址F2。本发明适用于NandFlash的坏块管理。

主权项

1.一种NandFlash驱动方法，其特征在于，将NandFlash划分为两个区域：活动区和备用区，活动区为应用可实际寻址的空间，备用区的块作为活动区的替换块；在MCU的ROM中开辟两个空闲区域，两个区域均用于存储NandFlash的逻辑地址‑物理地址映射表，记为第一映射表和第二映射表；两个逻辑地址‑物理地址映射表的索引即对应NandFlash的物理块，其值为对应NandFlash物理块的状态；所述物理块的状态均含有以下信息：标记该块是否为坏块的坏块标记F1，该块对应的目标地址F2；在对NandFlash的某个块进行写操作或擦除操作失败时，或在初始化过程中对活动区扫描时发现NandFlash的出厂坏块标记，则判断NandFlash的该块已经损坏，此时在备用区中使用一个好块替换掉对应的坏块，同时在逻辑地址‑物理地址映射表中更新坏块标记F1和目标地址F2。