[发明专利]一种NandFlash驱动方法

权利要求书

1.一种NandFlash驱动方法，其特征在于，将NandFlash划分为两个区域：活动区和备用区，活动区为应用可实际寻址的空间，备用区的块作为活动区的替换块；

在MCU的ROM中开辟两个空闲区域，两个区域均用于存储NandFlash的逻辑地址-物理地址映射表，记为第一映射表和第二映射表；两个逻辑地址-物理地址映射表的索引即对应NandFlash的物理块，其值为对应NandFlash物理块的状态；所述物理块的状态均含有以下信息：标记该块是否为坏块的坏块标记F1，该块对应的目标地址F2；

在对NandFlash的某个块进行写操作或擦除操作失败时，或在初始化过程中对活动区扫描时发现NandFlash的出厂坏块标记，则判断NandFlash的该块已经损坏，此时在备用区中使用一个好块替换掉对应的坏块，同时在逻辑地址-物理地址映射表中更新坏块标记F1和目标地址F2；

备用区的好块替换由低地址递增，备用区的下一个好块使用一个标识S1指定，该标识S1位于映射区的空闲区，该标识S1初始化为备用区的首个块的块索引，且每使用一个备用区的好块，则将标识S1指向下一个好块；

假如当前使用第一映射表，记当前的坏块索引为N1，则坏块更新流程如下：

S101.将扫描计数C清零；

S102.判断C是否等于N1，如果是则进行步骤S103否则进行步骤S105

S103.在备用区中找到一个备用好块，即备用区的下一个好块标识，其索引为B1；

S104.将映射表索引为C的位置的坏块的坏块标记改为[是],目标地址改为B1；

S105.将第一映射表索引为C的位置的值写入第二映射表索引为C的位置；

S107.扫描计数C+1；

S108.判断C是否小于NandFlash的块数量，如果是则进行S102，否则进行S109；

S109.在第二映射表的结尾处写入该映射表的校验，并将备用区的下一个好块标识改为下一个好块的索引；

S110.擦除第一映射表。

2.如权利要求1所述的一种NandFlash驱动方法，其特征在于，逻辑地址-物理地址映射表的更新使用两个映射表交替更新的方式，在完成更新后再擦除原映射表。

3.如权利要求2所述的一种NandFlash驱动方法，其特征在于，逻辑地址-物理地址映射表的具体更新步骤如下：

如当前使用的是第一映射表,则更新第二映射表，将第一映射表的内容复制到第二映射表，同时在复制过程中改变上述坏块的坏块标记和目标地址，并改变替换块的使用标记，在完成复制后删除第一映射表，如第二映射表更新失败，则可继续使用第一映射表；如果当前使用的是第二映射表,则相反。

4.如权利要求1所述的一种NandFlash驱动方法，其特征在于，如果备用区中的已经用于替换活动区的坏块的块损坏，则在备用区中继续使用另一个好块替换该备用区的坏块。

5.如权利要求1所述的一种NandFlash驱动方法，其特征在于，在系统首次上电时在MCU的ROM中首次建立NandFlash的物理地址-逻辑地址映射表，采用以下方案：

S201.将NandFlash的活动区的物理地址一一映射到第一映射表中，在该过程中不对活动块的好坏状态进行扫描和标记，仅用于建立初始的活动区映射表对应关系；

S202.扫描备用区，将其中的坏块进行标记，并在映射表中标记其坏块状态；

S203.扫描活动区，如果发现坏块，则使用坏块替换方法对活动区的坏块进行替换。

6.如权利要求1所述的一种NandFlash驱动方法，其特征在于，在系统非首次上电时，选择映射表的具体操作如下：

判断第一映射表和第二映射表是否都存在映射表数据且校验正确，如果只有其中一个映射表存在数据，则使用存在数据的映射表；如果两个映射表都没有数据，则进行初始化操作；如果都存在数据，则判断两个映射表备用区的下一个可用块标识的大小，使用标识较大的映射表。

7.如权利要求1所述的一种NandFlash驱动方法，其特征在于，在对NandFlash进行操作时采用以下方法从逻辑地址获取实际地址：

在当前使用的映射表中找到逻辑地址对应的值，根据其坏块标记F1判断该块是否为坏块，如果为坏块，则对其目标地址F2继续进行坏块判断，如果不为坏块则实际地址即逻辑地址。