[发明专利]一种NandFlash驱动方法

说明书

本发明涉及NandFlash驱动领域，公开了一种NandFlash驱动方法，用以在RAM较小的MCU上实现NandFlash的坏块管理。本发明将NandFlash划分活动区和备用区，并在MCU的ROM中开辟两个空闲区域，空闲区域用于存储NandFlash的逻辑地址‑物理地址映射表，其中，映射表的索引即对应NandFlash的物理块，其值为对应NandFlash物理块的状态，物理块的状态均含有：标记该块是否为坏块的坏块标记F1，该块对应的目标地址F2；在判断到NandFlash的该块损坏时，在备用区中使用一个好块替换掉对应的坏块，同时在逻辑地址‑物理地址映射表中更新坏块标记F1和目标地址F2。本发明适用于NandFlash的坏块管理。

技术领域

本发明涉及NandFlash驱动领域，特别涉及一种NandFlash驱动方法。

背景技术

目前NandFlash由于容量大、价格低廉而被广泛使用，但NandFlash的擦写次数十分有限，对于NandFlash的同一个块反复进行擦写很容易造成块损坏，因此要使用NandFlash就必须进行坏块管理。

目前存在一种分区坏块管理方法，将NandFlash划分为两个区域，建立第一区域的坏块与第二区域的正常块的映射关系，并将映射关系表存储在第二区域的坏块管理信息中，并将坏块管理信息表存储于NandFlash中，对于该映射表的访问有以下两种方法，其一是每次访问NandFlash时先在存储映射表的地方进行搜寻，获取其实际地址，其访问速度较慢，且访问复杂，其二是在初始化时将映射表读取到控制器的RAM中，在掉电时回写到NandFlash中，该方法需要非常大的RAM空间，如对于一个块数量为2048的NandFlash，其映射表的大小至少为4096个字节，且该方法不可靠，一旦未能将映射表成功回写到NandFlash中，将造成数据严重紊乱。

还存在一种坏块管理方法，在产生坏块后，将坏块后紧接着的一个好块作为该坏块的替换块，该方法不利于存储结构化的数据，且若是坏块后的好块存在数据，则需将数据依次往后搬移，操作复杂且在搬移的过程中还可能出现坏块，容易造成数据错误。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种NandFlash驱动方法，用以在RAM较小的MCU上实现NandFlash的坏块管理。

本发明解决上述技术问题采用的技术方案是：1、一种NandFlash驱动方法，将NandFlash划分为两个区域：活动区和备用区，活动区为应用可实际寻址的空间，备用区的块作为活动区的替换块；

在MCU的ROM中开辟两个空闲区域，两个区域均用于存储NandFlash的逻辑地址-物理地址映射表，记为第一映射表和第二映射表；两个逻辑地址-物理地址映射表的索引即对应NandFlash的物理块，其值为对应NandFlash物理块的状态；所述物理块的状态均含有以下信息：标记该块是否为坏块的坏块标记F1，该块对应的目标地址F2；

在对NandFlash的某个块进行写操作或擦除操作失败时，或在初始化过程中对活动区扫描时发现NandFlash的出厂坏块标记，则判断NandFlash的该块已经损坏，此时在备用区中使用一个好块替换掉对应的坏块，同时在逻辑地址-物理地址映射表中更新坏块标记F1和目标地址F2。

进一步的，备用区的好块替换可由低地址递增，即：备用区的下一个好块使用一个标识S1指定，该标识S1位于映射区的空闲区，该标识S1初始化为备用区的首个块的块索引，且每使用一个备用区的好块，则将标识S1指向下一个好块。假如当前使用第一映射表，记当前的坏块索引为N1，则本发明的一种具体坏块更新流程可如下：

S101.将扫描计数C清零；

S102.判断C是否等于N1，如果是则进行步骤S103否则进行步骤S105

S103.在备用区中找到一个备用好块，即备用区的下一个好块标识，其索引为B1；