[发明专利]一种3D纳米多孔二氧化硅的制备方法及产品有效
| 申请号： | 201910596345.0 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110357113B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 薛丽红;柳炜;张五星;严有为 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于多孔材料领域，并公开了一种3D纳米多孔二氧化硅的制备方法及产品。所述方法包括：S1将原子比不小于1:2的W粉与Si粉在真空环境中进行球磨混合，得到混合粉末；S2将步骤S1得到的混合粉末进行放电等离子体烧结，使得所述混合粉末充分反应，以获取烧结体；S3将步骤S2得到的烧结体在有氧气体氛围下进行氧化热处理，以获取内部具有3D纳米多孔结构的3D纳米多孔二氧化硅。所述产品中具有3D纳米多孔结构。本发明制备方法简单易控制，价格低廉，适合大批量生产，所制备的产品具有比表面积高和比重小的特点，因而尤其适用于气体吸附、能量储存、分离、催化、光电、传感等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 多孔 二氧化硅 制备 方法 产品 | ||
【主权项】：
1.一种3D纳米多孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1将原子比不小于1:2的W粉与Si粉在真空环境中进行球磨混合，得到混合粉末；S2将步骤S1得到的混合粉末进行放电等离子体烧结，使得所述混合粉末充分反应，以获取烧结体；S3将步骤S2得到的烧结体在有氧气体氛围下进行氧化热处理，以获取内部具有3D纳米多孔结构的3D纳米多孔二氧化硅。
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