[发明专利]一种3D纳米多孔二氧化硅的制备方法及产品

权利要求书

1.一种3D纳米多孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1将原子比不小于1:2的W粉与Si粉在真空环境中进行球磨混合，得到混合粉末；

S2将步骤S1得到的混合粉末进行放电等离子体烧结，使得所述混合粉末充分反应，以获取烧结体；

S3将步骤S2得到的烧结体在有氧气体氛围下进行氧化热处理，以获取内部具有3D纳米多孔结构的3D纳米多孔二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述球磨混合过程中还需加入1wt％～10wt％的过程控制剂，所述过程控制剂为乙醇或硬脂酸。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述原子比不小于1:2的W粉与Si粉中还掺杂有0.1wt％～10wt％的复合金属粉末。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述复合金属粉末为稀有金属粉末、碱金属粉末、碱土金属粉末、稀有金属氧化物粉末、碱金属氧化物粉末或碱土金属氧化物粉末中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述球磨混合的时间为1h～20h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述放电等离子体烧结的条件为以50℃/min～200℃/min的升温速率从室温升至1200℃～1700℃，并在1200℃～1700℃的温度范围内保温1min～10min。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述有氧气体氛围为空气氛围或者氧气氛围；所述氧化热处理的温度为600℃～1700℃，所述氧化热处理的时间为1h～20h。

8.一种根据权利要求1-7任一项所述的制备方法制备而成的3D纳米多孔二氧化硅，其特征在于，所述3D纳米多孔二氧化硅的内部具有3D纳米多孔结构。

9.根据权利要求8所述的3D纳米多孔二氧化硅，其特征在于，所述3D纳米多孔结构上还附着有二氧化硅复合材料的纳米颗粒，所述二氧化硅复合材料的纳米颗粒的直径为2nm～10nm。