[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910589642.2 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN111668307A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 川井博文 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供能够抑制耐压及通态电阻的不均的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：具有源极区域及漏极区域的半导体部分；配置于上述源极区域与上述漏极区域之间、下部设置于上述半导体部分内、上部设置于上述半导体部分上的第1绝缘部；上述源极区域侧的端部配置于上述半导体部分上、上述漏极区域侧的端部配置于上述第1绝缘部上的栅极电极；和连续地设置于上述栅极电极中的上述漏极区域侧的端部上、上述第1绝缘部中的未被上述栅极电极覆盖的部分上及上述漏极区域中的上述第1绝缘部侧的端部上的第2绝缘部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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