[发明专利]半导体器件以及对应的布局图的生成方法

摘要

本发明的实施例提供了一种半导体器件以及对应的布局图的生成方法。在至少一个单元区域中，半导体器件包括鳍和至少一个上面的栅极结构。鳍(伪和有源)基本平行于第一方向。每个栅极结构基本平行于第二方向(第二方向基本垂直于第一方向)。第一和第二有源鳍具有相应的第一和第二导电类型。相对于第二方向，每个单元区域均包括：第一有源区域，其包括位于单元区域的中心部分中的三个或多个连续的第一有源鳍的序列；第二有源区域，其包括位于第一有源区域和单元区域第一边缘之间的一个或多个第二有源鳍；以及第三有源区域，其包括位于第一有源区域和单元区域的第二边缘之间的一个或多个第二有源鳍。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n鳍，基本平行于第一方向延伸，所述鳍被配置为包括；/n伪鳍；/n第一有源鳍，具有第一导电类型；和/n第二有源鳍，具有第二导电类型；以及/n至少一个栅极结构，形成在相应的鳍上方并且基本平行于第二方向延伸，所述第二方向基本垂直于所述第一方向；以及/n其中；/n所述鳍和所述至少一个栅极结构位于至少一个单元区域中；以及/n相对于所述第二方向，每个单元区域均包括：/n第一有源区域，包括位于所述单元区域的中心部分中的三个或更多连续的第一有源鳍的序列；/n第二有源区域，包括位于所述第一有源区域和所述单元区域第一边缘之间的一个或多个第二有源鳍；和/n第三有源区域，包括位于所述第一有源区域和所述单元区域的第二边缘之间的一个或多个第二有源鳍。/n