[发明专利]半导体器件以及对应的布局图的生成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍，基本平行于第一方向延伸，所述鳍被配置为包括；

伪鳍；

第一有源鳍，具有第一导电类型；和

第二有源鳍，具有第二导电类型；以及

至少一个栅极结构，形成在相应的鳍上方并且基本平行于第二方向延伸，所述第二方向基本垂直于所述第一方向；以及

其中；

所述鳍和所述至少一个栅极结构位于至少一个单元区域中；以及

相对于所述第二方向，每个单元区域均包括：

第一有源区域，包括位于所述单元区域的中心部分中的三个或更多连续的第一有源鳍的序列；

第二有源区域，包括位于所述第一有源区域和所述单元区域第一边缘之间的一个或多个第二有源鳍；和

第三有源区域，包括位于所述第一有源区域和所述单元区域的第二边缘之间的一个或多个第二有源鳍，

其中，所述单元区域是双高度单元区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

相对于所述第二方向，所述伪鳍的第一伪鳍位于所述第二有源区域和所述单元区域的第一边缘之间；以及

相对于所述第二方向，所述伪鳍的第二伪鳍位于所述第三有源区域和所述单元区域的第二边缘之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

相对于所述第一方向，所述单元区域的第一边缘与所述第一伪鳍的长轴基本共线；以及

相对于所述第一方向，所述单元区域的第二边缘与所述第二伪鳍的长轴基本共线。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述伪鳍没有被掺杂为特定的导电类型。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二有源区域中的所述第二有源鳍的总和等于所述第三有源区域中的所述第二有源鳍的总和。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二有源区域中的所述第二有源鳍的总和小于所述第三有源区域中的所述第二有源鳍的总和。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述鳍和所述至少一个栅极结构位于至少两个单元区域中；以及

所述至少两个单元区域的每个均包括：

至少三个栅极结构，所述至少三个栅极结构中的至少一个是伪栅极结构，并且所述至少三个栅极结构中的至少另一个是有源栅极结构；以及

相对于所述第一方向，所述至少两个单元区域中的第一单元区域和第二单元区域之间的边界由第一有源栅极结构、第一伪栅极结构、第二伪栅极结构和第二有源栅极结构的连续序列限定。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述鳍和所述至少一个栅极结构位于至少两个单元区域中；以及

所述至少两个单元区域的每个均包括：

至少三个栅极结构，所述至少三个栅极结构中的至少一个是伪栅极结构，并且所述至少三个栅极结构中的至少另一个是有源栅极结构；以及

相对于所述第一方向，所述至少两个单元区域中的第一单元区域和第二单元区域之间的边界由第一有源栅极结构、第一伪栅极结构和第二有源栅极结构的连续序列限定。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

紧邻的鳍对之间的距离是鳍节距，所述鳍节距基本均匀；

在所述第二方向上，所述第一有源区域、所述第二有源区域和所述第三有源区域的尺寸相应地基于所述鳍节距；以及

在所述第二方向上，所述第一有源区域和所述第二有源区域之间的第一间隙以及所述第一有源区域和所述第三有源区域之间的第二间隙的尺寸相应地基于所述鳍节距。