[发明专利]半导体器件以及对应的布局图的生成方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体器件以及对应的布局图的生成方法。在至少一个单元区域中，半导体器件包括鳍和至少一个上面的栅极结构。鳍(伪和有源)基本平行于第一方向。每个栅极结构基本平行于第二方向(第二方向基本垂直于第一方向)。第一和第二有源鳍具有相应的第一和第二导电类型。相对于第二方向，每个单元区域均包括：第一有源区域，其包括位于单元区域的中心部分中的三个或多个连续的第一有源鳍的序列；第二有源区域，其包括位于第一有源区域和单元区域第一边缘之间的一个或多个第二有源鳍；以及第三有源区域，其包括位于第一有源区域和单元区域的第二边缘之间的一个或多个第二有源鳍。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件以及对应的布局图的生成方法。

背景技术

半导体器件包括多个电子器件，集成电路(IC)包括半导体器件的一个或多个。表示半导体器件的一种方式是利用称为布局图的平面图。布局图是分层的，并且被分解为执行如半导体器件的设计规范所指示的更高级功能的模块。

对于给定的半定制(SCD)项目，为了提供(在操作中)特定于SCD 项目的更高级逻辑功能，定制单元被设计为具有特定于给定的SCD项目的布置。相比之下，标准单元库设计为没有考虑特定的项目，并且包括提供 (在操作中)通用的低级逻辑功能的标准单元。就布局图中的占用空间而言(从平面图的角度来看)，定制单元比标准单元更大(通常更大)。此外，对于给定的库，所有标准单元均具有至少一个大小相同的尺寸(通常，大小是库的特定的固定尺寸的倍数)，以便于将标准单元放置到布局图中。通常，固定尺寸的方向平行于垂直方向或Y轴，从而使得固定尺寸称为标准单元的高度。因此，标准单元被描述为相对于给定的SCD项目是预定义的。定制单元可以具有或不具有与标准单元的相应尺寸相同的至少一个尺寸。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：鳍，基本平行于第一方向延伸，所述鳍被配置为包括；伪鳍；第一有源鳍，具有第一导电类型；和第二有源鳍，具有第二导电类型；以及至少一个栅极结构，形成在相应的鳍上方并且基本平行于第二方向延伸，所述第二方向基本垂直于所述第一方向；以及其中；所述鳍和所述至少一个栅极结构位于至少一个单元区域中；以及相对于所述第二方向，每个单元区域均包括：第一有源区域，包括位于所述单元区域的中心部分中的三个或更多连续的第一有源鳍的序列；第二有源区域，包括位于所述第一有源区域和所述单元区域第一边缘之间的一个或多个第二有源鳍；和第三有源区域，包括位于所述第一有源区域和所述单元区域的第二边缘之间的一个或多个第二有源鳍。

根据本发明的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：鳍，基本平行于第一方向延伸；以及栅极结构，形成在相应的所述鳍上方并且基本平行于第二方向延伸，所述第二方向基本垂直于所述第一方向，所述栅极结构被配置为包括：伪栅极结构；和有源栅极结构；以及其中：所述鳍和至少一个栅极结构组成单元区域；以及相对于所述第一方向，所述单元区域的第一单元区域和第二单元区域之间的边界由第一有源栅极结构、第一伪栅极结构和第二有源栅极结构的连续序列限定。

根据本发明的又一个方面，提供了一种生成布局图的方法，所述布局图存储在非暂时性计算机可读介质上，所述方法包括：从库中选择标准单元；以及将所述标准单元包括在布局图中；以及其中：所述标准单元包括：鳍图案，基本平行于第一方向布置，所述鳍图案包括：伪鳍图案；具有第一导电类型的第一有源鳍图案；和具有第二导电类型的第二有源鳍图案；以及至少一个栅极图案，基本平行于第二方向布置，所述第二方向基本垂直于所述第一方向，所述至少一个栅极图案还布置在相应的所述鳍图案上方；所述标准单元布置为包括第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域，从而使得：包括三个或更多连续的第一有源鳍图案的序列的所述第一有源区域位于所述标准单元的中心部分中；包括一个或多个第二有源鳍图案的所述第二有源区域位于所述第一有源区域和所述标准单元的第一边缘之间；和包括一个或多个第二有源鳍图案的所述第三有源区域位于所述第一有源区域和所述标准单元的第二边缘之间；以及所述方法的至少一个方面由计算机的处理器执行。

附图说明