[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置

摘要

本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括步骤：在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层；在金属层上方形成光阻层；使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；第一次湿蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；第一次干蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，并将光阻薄层完全蚀刻；第二次湿蚀刻去除沟道区的金属层以及金属氧化物，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；第二次干蚀刻使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时使得有源层对应沟道区的厚度小于有源层的其它部位的厚度。提高了产品性能。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法包括步骤：/n在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层，在所述金属层上方沉积光刻胶形成光阻层；/n使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；/n第一次湿蚀刻，蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；/n第一次干蚀刻，使用含有氧化性的刻蚀气体，刻蚀得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，同时，将所述光阻薄层完全蚀刻；/n第二次湿蚀刻，蚀刻去除所述沟道区的金属层，并残留金属或金属氧化物；/n将所述残留的金属或金属氧化物去除，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；/n第二次干蚀刻，蚀刻所述欧姆接触层以使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时部分蚀刻有源层以使得有源层对应沟道区处的厚度小于有源层的其它部位的厚度；以及/n在所述源极金属层和所述漏极金属层上方依次形成钝化层和透明导电层以得到所述薄膜晶体管。/n