[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括步骤：在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层；在金属层上方形成光阻层；使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；第一次湿蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；第一次干蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，并将光阻薄层完全蚀刻；第二次湿蚀刻去除沟道区的金属层以及金属氧化物，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；第二次干蚀刻使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时使得有源层对应沟道区的厚度小于有源层的其它部位的厚度。提高了产品性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术，其中薄膜晶体管作为像素的开关，控制着液晶的旋转而呈现不同的色彩。薄膜晶体管的制作是各层薄膜的沉积，主要包括栅金属、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源漏金属、钝化层和像素电极，其中欧姆接触层使得有源层与金属电极之间形成良好的欧姆接触，降低有源层与金属层之间的接触电阻，提高电子的传输速率，此外，欧姆接触层也起到空穴阻挡层的作用。在沉积有源层材料和第二金属层材料之后，可以采用一道半透膜光罩来蚀刻得到有源层以节约光罩制程。

当干蚀刻光阻层时，采用含有氧化性气体的干蚀刻气体，则可能使得第二金属层的上表面出现金属氧化物而导致后续蚀刻不良的问题，影响显示性能。

发明内容

本申请的目的是提供一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，以提高薄膜晶体管的显示性能。

为实现上述目的，本申请提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管的制作方法包括步骤：

在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层，在金属层上方沉积光刻胶；

使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；

第一次湿蚀刻，蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；

第一次干蚀刻，使用含有氧化性的刻蚀气体，刻蚀得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，同时，将光阻薄层完全蚀刻；

第二次湿蚀刻，蚀刻去除沟道区的金属层，并残留金属或金属氧化物；

将所述残留的金属或金属氧化物去除，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；

第二次干蚀刻，蚀刻欧姆接触层以使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时部分蚀刻有源层以使得有源层对应沟道区的厚度小于有源层的其它部位的厚度；以及

在源极金属层和漏极金属层上方依次形成钝化层和透明导电层以得到薄膜晶体管。

可选的，所述第二次湿蚀刻，蚀刻去除所述沟道区的金属层，并残留金属或金属氧化物的步骤中，使用酸性刻蚀液将沟道区的金属层表面金属氧化成金属氧化物；

所述的将所述残留的金属或金属氧化物去除，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层的步骤中，使用碱性蚀刻液将所述金属氧化物以及所述沟道区的金属层蚀刻去除。

可选的，所述酸性蚀刻液包括1-8％的氧化性酸、20-50％的弱酸，其余为水。

可选的，所述氧化性酸采用硝酸，所述弱酸采用醋酸。

可选的，所述碱性蚀刻液采用氢氧化钠溶液。

可选的，所述碱性蚀刻液中氢氧化钠的浓度为5-50％。