[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法包括步骤：

在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层，在所述金属层上方沉积光刻胶形成光阻层；

使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；

第一次湿蚀刻，蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；

所述第一次湿蚀刻，蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层的步骤包括：

使用酸性刻蚀液蚀刻金属层得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；

然后使用含氢氧化钠的碱性刻蚀液将所述酸性刻蚀液蚀刻后产生的金属氧化物去除；

第一次干蚀刻，使用含有氧化性的刻蚀气体，刻蚀得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，同时，将所述光阻薄层完全蚀刻；

第二次湿蚀刻，蚀刻去除所述沟道区的金属层，并残留金属或金属氧化物；

将所述残留的金属或金属氧化物去除，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；

所述将所述残留的金属或金属氧化物去除的步骤包括：

使用酸性刻蚀液将沟道区的金属层表面金属氧化成金属氧化物；

然后使用含氢氧化钠的碱性刻蚀液将所述金属氧化物以及沟道区的金属层蚀刻去除；

第二次干蚀刻，蚀刻所述欧姆接触层以使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时部分蚀刻有源层以使得有源层对应沟道区处的厚度小于有源层的其它部位的厚度；以及

在所述源极金属层和所述漏极金属层上方依次形成钝化层和透明导电层以得到所述薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述酸性蚀刻液包括1％-8％的氧化性酸、20％-50％的弱酸，其余为水。

3.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化性酸采用硝酸，所述弱酸采用醋酸。

4.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述碱性蚀刻液采用氢氧化钠溶液。

5.如权利要求4所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述碱性蚀刻液中氢氧化钠的浓度为5％-50％。

6.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一次干蚀刻和第二次干蚀刻均采用刻蚀气体，所述第一次干蚀刻采用六氟化硫气体、氯气以及氧气，所述第二次干蚀刻采用六氟化硫气体、氯气以及氦气的混合气体。