[发明专利]三硼酸锂晶体表面增透微结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910559682.2 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110230096A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 孔钒宇;孙勇;贺洪波;晋云霞;曹红超;张益彬;王勇禄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B33/08 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三硼酸锂晶体表面增透微结构，其对紫外、可见、近红外光具有增透效果。微结构参数有周期、深度、占空比等。微结构各单元形状为长方体、圆柱体、圆锥体或圆台结构。微结构参数及各单元形状由特定使用波长所决定。本发明的表面增透微结构能够有效提升三硼酸锂晶体在特定波长的透过率，且透过带宽也很宽，很好地满足了高透过率、宽带的要求，对于高功率激光系统具有非常重要的实际意义。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 三硼酸锂晶体 增透 微结构参数 单元形状 波长 高功率激光系统 高透过率 近红外光 圆台结构 增透效果 透过率 圆锥体 占空比 宽带 制备 带宽 | ||
【主权项】：
1.一种三硼酸锂晶体表面增透微结构，其特征在于，该三硼酸锂晶体表面具有周期阵列结构，该周期阵列结构的周期小于λ短/n纳米，λ短为特定双波长中的短波长，n为三硼酸锂晶体的折射率，该周期阵列结构的深度应满足透过率曲线有两个极大值，该两个极大值分别位于特定双波长的两个波长处，该周期阵列结构的占空比应满足特定双波长的透过率最大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910559682.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
