[发明专利]三硼酸锂晶体表面增透微结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910559682.2 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110230096A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 孔钒宇;孙勇;贺洪波;晋云霞;曹红超;张益彬;王勇禄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B33/08 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微结构 三硼酸锂晶体 增透 微结构参数 单元形状 波长 高功率激光系统 高透过率 近红外光 圆台结构 增透效果 透过率 圆锥体 占空比 宽带 制备 带宽 | ||
1.一种三硼酸锂晶体表面增透微结构，其特征在于，该三硼酸锂晶体表面具有周期阵列结构，该周期阵列结构的周期小于λ短/n纳米，λ短为特定双波长中的短波长，n为三硼酸锂晶体的折射率，该周期阵列结构的深度应满足透过率曲线有两个极大值，该两个极大值分别位于特定双波长的两个波长处，该周期阵列结构的占空比应满足特定双波长的透过率最大。
2.如权利要求1所述的三硼酸锂晶体表面增透微结构，其特征在于，所述的周期阵列结构的周期为150-650nm。
3.如权利要求1所述的三硼酸锂晶体表面增透微结构，其特征在于，所述的周期阵列结构的深度为200-500nm。
4.如权利要求1所述的三硼酸锂晶体表面增透微结构，其特征在于，所述的周期阵列结构的占空比为0.5-1.0。
5.如权利要求1所述的三硼酸锂晶体表面增透微结构，其特征在于，所述的周期阵列结构的各单元形状为长方体、圆柱体、圆锥体或圆台结构。
6.一种权利要求1-5任一所述的三硼酸锂晶体表面增透微结构的制备方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1)清洁三硼酸锂晶体，并在该三硼酸锂晶体表面旋涂一层光刻胶；
步骤2)采用双光束干涉进行第一次曝光，再将三硼酸锂晶体的曝光面旋转90°进行第二次正交曝光；
步骤3)显影得到所需的掩膜图案；
步骤4)采用反应离子束刻蚀技术将掩膜图案转移到三硼酸锂晶体基底上；
步骤5)清洗去除刻蚀残留物，得到单面周期阵列结构。
7.权利要求6所述的三硼酸锂晶体表面增透微结构的制备方法，其特征在于，还包括步骤6)清洁所述的三硼酸锂晶体的另一表面，并旋涂一层光刻胶，进入步骤2)-4)，清洗去除刻蚀残留物，得到双面周期阵列结构。
8.权利要求6或7所述的三硼酸锂晶体表面增透微结构的制备方法，其特征在于，所述的光刻胶厚度为200-600nm。
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