[发明专利]半导体装置及半导体芯片有效
| 申请号： | 201910553907.3 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110660789B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 鹰巢博昭 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体芯片。半导体装置包括：平坦区域，其形成在半导体衬底的表面，该平坦区域的外周形状具有区域边和区域倒角部；外周区域，其以与平坦区域不同的同样的高度包围平坦区域；多个相似形状或相同形状的半导体元件，它们形成在平坦区域上；及配线金属，其经由形成在半导体元件上的第2绝缘膜的接触孔而将多个半导体元件连接。提供一种能够提高半导体元件的相对精度，并提高半导体集成电路装置的成品率的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，其包括：/n平坦区域，其设于形成在半导体衬底的表面的第1绝缘膜上，在俯视观察时，该平坦区域的外周形状具有区域边和所述区域边之间的区域倒角部；/n外周区域，其包围所述平坦区域，且高度与所述平坦区域的高度不同；/n多个半导体元件，它们具有相似形状或相同形状，且从所述外周区域隔开规定的距离以上而形成在所述平坦区域上；/n第2绝缘膜，其形成在所述多个半导体元件上；/n接触孔，其形成在所述多个半导体元件上的所述第2绝缘膜；及/n配线金属，其形成在所述接触孔上，将所述多个半导体元件连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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