[发明专利]半导体装置及半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201910553907.3 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN110660789B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 鹰巢博昭 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 芯片
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,其包括:

平坦区域,其设于形成在半导体衬底的表面的第1绝缘膜上,在俯视观察时,该平坦区域的外周形状具有区域边和所述区域边之间的区域倒角部;

外周区域,其包围所述平坦区域,且高度与所述平坦区域的高度不同;

多个半导体元件,它们具有相似形状或相同形状,且从所述外周区域隔开规定的距离以上而形成在所述平坦区域上;

第2绝缘膜,其形成在所述多个半导体元件上;

接触孔,其形成在所述多个半导体元件上的所述第2绝缘膜;及

配线金属,其形成在所述接触孔上,将所述多个半导体元件连接,

在俯视观察时,所述区域倒角部的形状为直线,所述区域边与所述区域倒角部所形成的内角为超过90度的角度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

在俯视观察时,所述区域倒角部的形状为朝向所述外周区域呈凸形状的曲线。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述区域边的形状为朝向所述外周区域呈凸形状的曲线,所述平坦区域的外周呈圆形或椭圆形。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述平坦区域的下方的所述半导体衬底与所述第1绝缘膜之间形成有导电膜。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体元件为薄膜电阻元件,所述半导体装置为泄放电阻电路。

6.一种半导体芯片,其特征在于,其具备权利要求1所述的半导体装置,且形成于所述半导体衬底,

在俯视观察时,该半导体芯片包括在划线区域中被划分出的芯片边和设于所述芯片边之间的芯片倒角部,

所述芯片边设于与所面对的所述区域边实质上平行的方向上。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片,其特征在于,

在俯视观察时,所述芯片倒角部的形状为直线,所述芯片边与所述芯片倒角部所形成的内角为超过90度的角度。

8.根据权利要求6所述的半导体芯片,其特征在于,

在俯视观察时,所述芯片倒角部的形状为朝向所述划线区域呈凸形状的曲线。

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