[发明专利]半导体装置及半导体芯片有效
申请号: | 201910553907.3 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110660789B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 鹰巢博昭 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 芯片 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,其包括:
平坦区域,其设于形成在半导体衬底的表面的第1绝缘膜上,在俯视观察时,该平坦区域的外周形状具有区域边和所述区域边之间的区域倒角部;
外周区域,其包围所述平坦区域,且高度与所述平坦区域的高度不同;
多个半导体元件,它们具有相似形状或相同形状,且从所述外周区域隔开规定的距离以上而形成在所述平坦区域上;
第2绝缘膜,其形成在所述多个半导体元件上;
接触孔,其形成在所述多个半导体元件上的所述第2绝缘膜;及
配线金属,其形成在所述接触孔上,将所述多个半导体元件连接,
在俯视观察时,所述区域倒角部的形状为直线,所述区域边与所述区域倒角部所形成的内角为超过90度的角度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在俯视观察时,所述区域倒角部的形状为朝向所述外周区域呈凸形状的曲线。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述区域边的形状为朝向所述外周区域呈凸形状的曲线,所述平坦区域的外周呈圆形或椭圆形。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述平坦区域的下方的所述半导体衬底与所述第1绝缘膜之间形成有导电膜。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体元件为薄膜电阻元件,所述半导体装置为泄放电阻电路。
6.一种半导体芯片,其特征在于,其具备权利要求1所述的半导体装置,且形成于所述半导体衬底,
在俯视观察时,该半导体芯片包括在划线区域中被划分出的芯片边和设于所述芯片边之间的芯片倒角部,
所述芯片边设于与所面对的所述区域边实质上平行的方向上。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片,其特征在于,
在俯视观察时,所述芯片倒角部的形状为直线,所述芯片边与所述芯片倒角部所形成的内角为超过90度的角度。
8.根据权利要求6所述的半导体芯片,其特征在于,
在俯视观察时,所述芯片倒角部的形状为朝向所述划线区域呈凸形状的曲线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普凌科有限公司,未经艾普凌科有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910553907.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的