[发明专利]逆流防止电路和电源电路有效
| 申请号： | 201910548912.5 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110632967B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 富冈勉;黑田忠克 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及逆流防止电路和电源电路。提供在不追加工艺的追加·管理工序的情况下抑制工艺或温度特性向输出级晶体管（以下，仅为Tr）的寄生二极管的正向电压、对输出电压进行检测的逆变器电路的阈值电压的影响并且防止逆流电流的逆流防止电路。具备：作为p型MOSTr的逆流防止Tr，以串联的方式插入到被供给电源电压的输入端子和从输出端子输出输出电压的p型MOSTr的输出级Tr间；以及逆流防止控制电路，在输出电压超过电源电压的情况下，使逆流防止Tr为截止状态，逆流防止控制部具有：为p型MOSTr且源极连接于输出端子的第1Tr、一端连接于第1Tr的漏极和逆流防止Tr的栅极且另一端被接地的第1恒定电流电路、插入到输入端子和第1Tr的栅极间且将控制信号向第1Tr的栅极输出的电平移位电路，使用第1Tr的漏极电压来进行逆流防止Tr的导通截止控制。 | ||
| 搜索关键词： | 逆流 防止 电路 电源 | ||
【主权项】：
1.一种逆流防止电路，其特征在于，具备：/n作为p沟道型MOS晶体管的逆流防止晶体管，以串联的方式插入到被供给电源电压的输入端子与从输出端子输出规定的输出电压的作为p沟道型MOS晶体管的输出级晶体管之间；以及/n逆流防止控制电路，在所述输出电压超过所述电源电压的情况下，使所述逆流防止晶体管从导通状态变为截止状态，/n所述逆流防止控制电路具有：/n作为增强型的p沟道型MOS晶体管的第1晶体管，包括连接于所述输出端子的源极、被施加电压的栅极、和漏极；/n第1恒定电流电路，包括连接于所述第1晶体管的漏极和所述逆流防止晶体管的栅极的各个的第1端、和被接地的第2端；以及/n电平移位电路，插入到所述输入端子和所述第1晶体管的栅极间，将对所述电源电压进行电压下降后的电压作为控制电压向所述第1晶体管的栅极施加，/n利用所述增强型的p沟道型MOS晶体管第1晶体管的漏极的电压来进行所述逆流防止晶体管的导通/截止控制。/n
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