[发明专利]逆流防止电路和电源电路

说明书

本发明涉及逆流防止电路和电源电路。提供在不追加工艺的追加·管理工序的情况下抑制工艺或温度特性向输出级晶体管（以下，仅为Tr）的寄生二极管的正向电压、对输出电压进行检测的逆变器电路的阈值电压的影响并且防止逆流电流的逆流防止电路。具备：作为p型MOSTr的逆流防止Tr，以串联的方式插入到被供给电源电压的输入端子和从输出端子输出输出电压的p型MOSTr的输出级Tr间；以及逆流防止控制电路，在输出电压超过电源电压的情况下，使逆流防止Tr为截止状态，逆流防止控制部具有：为p型MOSTr且源极连接于输出端子的第1Tr、一端连接于第1Tr的漏极和逆流防止Tr的栅极且另一端被接地的第1恒定电流电路、插入到输入端子和第1Tr的栅极间且将控制信号向第1Tr的栅极输出的电平移位电路，使用第1Tr的漏极电压来进行逆流防止Tr的导通截止控制。

技术领域

本发明涉及逆流防止电路和电源电路。

背景技术

在输入电压比输出电压高的状态下使用降压型的电压调节器。然而，根据使用条件和电路结构，存在输出电压比输入电压高的情况。在该情况下，存在电流从输出端子逆流的可能性。

因此，存在以下结构：即使输出电压比输入电压高，为了逆流电流不会流向电压调节器的输出级的p沟道型MOS（metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体）晶体管（以下为PMOS晶体管），当感测输出电压比输入电压高时，也使上述p沟道型MOS晶体管为截止状态。该结构例如被记载于日本特开平10-341141号公报。

图11所示的以往的电压调节器具备：由PMOS晶体管10和n沟道型MOS晶体管（以下为NMOS晶体管）11构成的逆变器电路、误差放大电路101、输出级晶体管102、基准电源103和逆流防止晶体管106。PMOS晶体管10的栅极，NMOS晶体管11的栅极和作为逆流防止晶体管106的PMOS晶体管的栅极分别与输入端子104连接。误差放大电路101的非反相输入端子、输出级晶体管102的漏极和PMOS晶体管的源极分别与输出端子105连接。输入端子104的电压为电源电压VDD。输出端子105的电压为输出电压VOUT。

在以往的电压调节器中，在当作为p沟道型MOS晶体管的逆流防止晶体管106为导通时、输出电压VOUT比将作为输入电压的电源电压VDD和作为p沟道型MOS晶体管的输出级晶体管102的漏极-背栅间的寄生二极管的正向电压Vf相加后的电压高的情况下即在以下的（i）式

成立的情况下，逆流电流经由寄生二极管流入到电压调节器内部。

因此，以往的电压调节器被构成为将逆变器电路的输出向逆流防止晶体管106的栅极供给，在以下的（ii）式

成立的情况下使逆流防止晶体管106截止。在上述（ii）式中，阈值电压VTH（inv）为由PMOS晶体管10和NMOS晶体管11构成的逆变器电路的阈值电压。

根据上述的结构，即使输出电压VOUT比作为输入电压的电源电压VDD高，也能够防止针对电压调节器内部的逆流电流。

发明要解决的课题

上述的专利文献1被设计为将正向电压Vf与阈值电压VTH（inv）看作相同的电压。

然而，由于工艺或温度特性的偏差，存在阈值电压VTH（inv）为比正向电压Vf高的电压的情况。在该情况下，认为以下的（iii）式

所示的条件成立。

即，即使输出电压VOUT超过电源电压VDD和正向电压Vf的相加值，该输出电压VOUT也为比电源电压VDD和阈值电压VTH（inv）的相加值低的状态。