[发明专利]一种P型晶体硅背面电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种P型晶体硅背面电极的制备方法，该背面电极的制备方法是：在P型晶体硅背面钝化层上印刷全铝浆，然后在全铝浆上印刷线性中间层‑玻璃浆，最后在线性中间层‑玻璃浆上叠印背面银电极，采用本方法制备的太阳能电池，可以在不破坏钝化层的同时，还可以保持与银铝接触良好，也不影响导电性，本发明可以形成完整的全铝背场提高了电极区域的场钝化特性，减少载流子符合，没有银进入硅基体，不会产生漏电，降低电池漏电流，提高光电转换效率。

主权项

1.一种P型晶体硅背面电极的制备方法，其特征在于：包括在P型晶体硅上进行双面制绒，在P型晶体硅正面镀膜，在P型晶体硅背面镀背面钝化层，在背面钝化层上开槽，然后分别对制备P型晶体硅的正面和背面电极；其中，所述的背面电极的制备方法如下：(1)在所述背面钝化层上印刷全铝浆并烘干，然后在所述P型晶体硅背面钝化层上印刷全铝浆于150～250℃烘干2.5～3.5min，在背极位置处先印刷一层线性中间层‑玻璃浆，于150～250℃烘干2.5～3.5min，所述线性中间层‑玻璃浆的宽为0.6～2mm，高为2～5μm，相邻所述两个线性中间层‑玻璃浆为13～30.4mm；(2)在步骤(1)所述线性中间层‑玻璃浆叠印背面银电极，然后于150～250℃烘干1～2min，宽为0.6～2mm，高为3～8μm，相邻所述两个背电极13～30.4mm，即得P型晶体硅的背面电极。