[发明专利]一种P型晶体硅背面电极的制备方法有效
申请号: | 201910529082.1 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN110277459B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 朱鹏;杨贵忠;陈艳美;王叶青 | 申请(专利权)人: | 南通天盛新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 背面 电极 制备 方法 | ||
本发明公开了一种P型晶体硅背面电极的制备方法,该背面电极的制备方法是:在P型晶体硅背面钝化层上印刷全铝浆,然后在全铝浆上印刷线性中间层‑玻璃浆,最后在线性中间层‑玻璃浆上叠印背面银电极,采用本方法制备的太阳能电池,可以在不破坏钝化层的同时,还可以保持与银铝接触良好,也不影响导电性,本发明可以形成完整的全铝背场提高了电极区域的场钝化特性,减少载流子符合,没有银进入硅基体,不会产生漏电,降低电池漏电流,提高光电转换效率。
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,具体涉及一种P型晶体硅背面电极的制备方法。
背景技术
随着现代工业的快速发展,地球上的天然能源石油、煤炭、天然气等在逐渐消耗殆尽,随之而来的能源危机、温室效应和环境污染日益严重,这就迫使人类寻求可替代天然能源的新型清洁能源。目前太阳已经逐渐成为新型能源的有效提供者。太阳能能将太阳能转换为电能,是所有清洁能源中对太阳能转换环节最少、利用最直接的方式。
目前市面上的太阳能电池是晶体硅太阳能电池为主的,且从技术成熟度、光电转换效率和原材料来源等考虑,今后很长一段时间内光伏太阳能电池的重点发展对象仍将是硅系太阳能电池。因此如何进一步提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率是业界持续不断的追求目标之一。
铝背场(BSF)是现代晶体硅太阳能电池普遍采用的典型的背表面钝化结构,经过多年的发展,铝背场的生产工艺已逐步趋向成熟、稳定,对铝背场的各项研究也日益深化,这些都表明在今后相当长一段时间内铝背场仍将广泛用于晶体硅太阳能电池,对于提高电池的转化效率具有重大贡献。
因此目前传统晶体硅太阳能电池片的制备工艺流程是将原料裸硅片经前清洗制绒后,进行扩散制备PN结,再刻蚀去除PSG磷硅玻璃层,经PECVD镀减反膜制成蓝膜片后,先用丝网印刷工艺印刷背面银浆制备背面银电极,经烘干后印刷背面铝浆制备铝背场,烘干后再印刷正面银浆制备正面银电极,然后经烘干和短时高温共烧结形成电池片。
PERC电池对于PERC背面银浆要求,除需具备传统晶硅电池背银所必需的良好的印刷性能和较低的银含量特性之外,还应当具备如下几条要素:(1)低活性,减少玻璃粉与钝化膜的反应,避免银浆与硅片接触部分形成大量复合中心,提高电池片开路电压;(2)较宽的工艺窗口,适应低温烧结工艺;(3)优秀的附着力及老化附着力。
在PERC电池中,背银浆料主要作用是单纯的汇流及焊接点,并不承担与硅的接触。将背银浆料直接印刷在铝浆上,可能会造成两种问题,首先,银铝的互相接触会影响背电极的焊接性能;其次,背电极边缘需要被铝背场覆盖,增加了背电极宽度,增加了背电极浆料成本。
发明内容
发明目的:为了解决现有技术的不足,本发明提供了一种P型晶体硅背面电极的制备方法,具体发明内容如下:
技术方案:本发明的目的是一种P型晶体硅背面电极的制备方法,包括在P型晶体硅上进行双面制绒,在P型晶体硅正面镀膜,在P型晶体硅背面镀背面钝化层,在背面度化层上开槽,然后分别对制备P型晶体硅的正面和背面电极,其技术点在于:所示背面电极的制备方法如下:
(1)在所述背面钝化层上印刷全铝浆并烘干,然后在所述P型晶体硅背面钝化层上印刷全铝浆于150~250℃烘干2.5~3.5min,在背极位置处先印刷一层线性中间层-玻璃浆,于150~250℃烘干2.5~3.5min,所述线性中间层-玻璃浆的宽为0.6-2mm,高为2-5μm,相邻所述两个线性中间层-玻璃浆为13-30.4mm;
(2)在步骤(1)所述线性中间层-玻璃浆叠印背面银电极,然后于150~250℃烘干1~2min,宽为0.6-2mm,高为3-8μm,相邻所述两个背电极13-30.4mm,即得P型晶体硅的背面电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通天盛新能源股份有限公司,未经南通天盛新能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910529082.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的