[发明专利]一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆有效

专利信息
申请号: 201910529059.2 申请日: 2019-06-19
公开(公告)号: CN110459343B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 朱鹏;杨贵忠;陈艳美;王叶青 申请(专利权)人: 南通天盛新能源股份有限公司
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;H01L31/0224
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆,该银浆主要包括如下质量份数:50~70份的纳米银粉、20~50份的有机载体、0.1~0.3份的分散剂和0.1~0.3份的触变剂,本发明采用的纳米银粉烧结活性好,在低温条件下容易烧结,而且可以烧结过程中部分银浆会渗进背面铝浆中,形成较好的银铝接触。本发明制备的低温烧结型银浆制备背面电极,可以形成完整的BSF层,提高了电极区域的场钝化特性,减少载流子复合,且没有银进入硅基体,不会漏电,降低电池的漏电流,提高光电转换效率,与常规相比,不用考虑套印,可降低电极宽度,降低成本。
搜索关键词: 一种 全铝背场 晶体 太阳能电池 低温 烧结 背面
【主权项】:
1.一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆,其特征在于:所述的低温烧结型背面银浆按照质量份数包括以下组分制备而成:/n /n其中,所述的纳米银粉的振实密度为3~3.5g/cm3,所述的纳米银粉的比表面积为4.8~5.8cm2/g,所述的纳米银粉的中值粒径D50为0.05~0.5μm,所述的纳米银粉的粒径跨度为0.8~09,所述的纳米银粉的烧损率为0.1~0.2%。/n
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