[发明专利]一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆

权利要求书

1.一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆，其特征在于：所述的低温烧结型背面银浆按照质量份数包括以下组分制备而成：

其中，所述的纳米银粉的振实密度为3-3.25g/cm³，所述的纳米银粉的比表面积为4.8～5.8cm²/g，所述的纳米银粉的中值粒径D₅₀为0.05～0.5μm，所述的纳米银粉的粒径跨度为0.8～09，所述的纳米银粉的烧损率为0.15～0.2％；

所述玻璃粉的软化点为250～350℃，所述玻璃粉的中值粒径D₅₀为0.3～04μm；

所述的玻璃粉按照质量份数包括60～65份的Pb₃O₄、10～20份的B₂O₃、5～10份的ZnO或Zn₃(PO₄)₂、1～10份的SiO₂、1～3份的Al₂O₃、1～3份的NiO和2～5份的V₂O₅；

在P型晶体硅正面形成氮化硅减反射的钝化膜，然后在P型晶体硅背面镀背面钝化层，然后在背面钝化层上开槽，然后分别对P型晶体硅的正面和反面进行金属化，P型晶体硅的背面金属的方法包括：

(1)在P型晶体硅的背面钝化层上印刷铝浆并烘干，然后再正面印刷银浆料并烘干，进行烧结；

(2)在步骤(1)所述的背面铝浆上印刷用所述低温烧结型背面银浆印刷背面银浆，经过烘干，烧结后形成背银电极；

所述步骤(1)中的背面铝浆的烘干温度为150～250℃，烘干时间为2.5～3.5min，所述的正面银浆的烘干温度为150～250℃，所述的正面银浆的烧结温度为750～850℃，烧结时间为8～15s；

所述步骤(2)中的背面电极的烘干温度为150～250℃，烘干时间是1.5～2.5min，所述的背面电极烧结温度为250～400℃，所述的背面电极的线宽为0.6～2.5mm，线长为8～20mm，线高为2～5μm。

2.根据权利要求1所述的全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆，其特征在于：所述的有机载体选自乙基纤维素、松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、醇酯十二中的一种或者几种混合。

3.根据权利要求1所述的全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆，其特征在于：所述的分散剂选自DMA、TDO、山梨醇酐三油酸酯、BYK-110和BYK-111中的一种或者几种混合。