[发明专利]一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆

说明书

本发明公开了一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆，该银浆主要包括如下质量份数：50～70份的纳米银粉、20～50份的有机载体、0.1～0.3份的分散剂和0.1～0.3份的触变剂，本发明采用的纳米银粉烧结活性好，在低温条件下容易烧结，而且可以烧结过程中部分银浆会渗进背面铝浆中，形成较好的银铝接触。本发明制备的低温烧结型银浆制备背面电极，可以形成完整的BSF层，提高了电极区域的场钝化特性，减少载流子复合，且没有银进入硅基体，不会漏电，降低电池的漏电流，提高光电转换效率，与常规相比，不用考虑套印，可降低电极宽度，降低成本。

技术领域

本发明涉及高分子基导电材料领域，具体涉及一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆。

背景技术

随着现代工业的快速发展，地球上的天然能源石油、煤炭、天然气等在逐渐消耗殆尽，随之而来的能源危机、温室效应和环境污染日益严重，这就迫使人类寻求可替代天然能源的新型清洁能源。目前太阳已经逐渐成为新型能源的有效提供者。太阳能能将太阳能转换为电能，是所有清洁能源中对太阳能转换环节最少、利用最直接的方式。

目前市面上的太阳能电池是晶体硅太阳能电池为主的，且从技术成熟度、光电转换效率和原材料来源等考虑，今后很长一段时间内光伏太阳能电池的重点发展对象仍将是硅系太阳能电池。因此如何进一步提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率是业界持续不断的追求目标之一。

铝背场(BSF)是现代晶体硅太阳能电池普遍采用的典型的背表面钝化结构，经过多年的发展，铝背场的生产工艺已逐步趋向成熟、稳定，对铝背场的各项研究也日益深化，这些都表明在今后相当长一段时间内铝背场仍将广泛用于晶体硅太阳能电池，对于提高电池的转化效率具有重大贡献。

因此目前传统晶体硅太阳能电池片的制备工艺流程是将原料裸硅片经前清洗制绒后，进行扩散制备PN结，再刻蚀去除PSG磷硅玻璃层，经PECVD镀减反膜制成蓝膜片后，先用丝网印刷工艺印刷背面银浆制备背面银电极，经烘干后印刷背面铝浆制备铝背场，烘干后再印刷正面银浆制备正面银电极，然后经烘干和短时高温共烧结形成电池片。

PERC电池对于PERC背面银浆要求，除需具备传统晶硅电池背银所必需的良好的印刷性能和较低的银含量特性之外，还应当具备如下几条要素：(1)低活性，减少玻璃粉与钝化膜的反应，避免银浆与硅片接触部分形成大量复合中心，提高电池片开路电压；(2)较宽的工艺窗口，适应低温烧结工艺；(3)优秀的附着力及老化附着力。

中国专利CN109659068A公开了一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温固化型背面银浆，该发明由球形银粉10～20份、片状银粉50～60份、双酚A型环氧树脂14～30份、活性稀释剂5～9.6份、固化剂双氰胺0.77～1.18份、固化促进剂0.02～0.04份、触变助剂0.2～0.5份。本发明采用低温固化型背面银浆印刷背面电极的附着性不好，降低PERC太阳能电池的开压，从而会导致PERC太阳能电池的光电转换效率降低。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种减少载流子的复合、减少银铝合金的形成的全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆，并且使用该银浆的工艺操作简单，适用于现有的工艺流程，本发明的技术方案如下：

本发明提供了一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆，所述的低温烧结型背面银浆按照质量份数包括以下组分制备而成：

其中，所述纳米银粉的振实密度为3～3.5g/cm³，所述纳米银粉的比表面积为4.8～5.8cm²/g，所述纳米银粉的中值粒径D₅₀为0.05～0.5μm，所述纳米银粉的粒径跨度为0.8～09，所述纳米银粉的烧损率为0.1～0.2％。

在本发明的有的实施例中，所述的低温烧结型背面银浆按照质量份数还包括1～10份的玻璃粉。