[发明专利]用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺

摘要

本发明公开了本发明提供了一种用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺，包括如下步骤：在基片上通过磁控溅射方法沉积Cu3N薄膜，其中Cu3N薄膜的厚度为10‑12nm；在Cu3N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO2薄膜，其中第一TiO2薄膜的厚度为12‑15nm；在第一TiO2薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn3N4薄膜，其中Zn3N4薄膜的厚度为10‑12nm；在Zn3N4薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一Li4Ti5O12薄膜，其中第一Li4Ti5O12薄膜的厚度为10‑12nm；在第一Li4Ti5O12薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二TiO2薄膜，其中第二TiO2薄膜的厚度为10‑12nm；在第二TiO2薄膜上通过磁控溅射方法沉积Fe3N薄膜，其中Fe3N薄膜的厚度为7‑9nm；在Fe3N薄膜上通过磁控溅射方法沉积Al2O3薄膜，其中Al2O3薄膜的厚度为7‑9nm；以及在Al2O3薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二Li4Ti5O12薄膜。

主权项

1.一种用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺，其特征在于：所述用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺包括如下步骤：在基片上通过磁控溅射方法沉积Cu₃N薄膜，其中所述Cu₃N薄膜的厚度为10‑12nm；在所述Cu₃N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO₂薄膜，其中所述第一TiO₂薄膜的厚度为12‑15nm；在所述第一TiO₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn₃N₄薄膜，其中所述Zn₃N₄薄膜的厚度为10‑12nm；在所述Zn₃N₄薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜，其中所述第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜的厚度为10‑12nm；在所述第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二TiO₂薄膜，其中所述第二TiO₂薄膜的厚度为10‑12nm；在所述第二TiO₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积Fe₃N薄膜，其中所述Fe₃N薄膜的厚度为7‑9nm；在所述Fe₃N薄膜上通过磁控溅射方法沉积Al₂O₃薄膜，其中所述Al₂O₃薄膜的厚度为7‑9nm；以及在所述Al₂O₃薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二Li₄Ti₅O₁₂薄膜，其中第二Li₄Ti₅O₁₂薄膜的厚度为7‑9nm。