[发明专利]用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺

权利要求书

1.一种用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺，其特征在于：所述用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺包括如下步骤：

在基片上通过磁控溅射方法沉积Cu₃N薄膜，其中所述Cu₃N薄膜的厚度为10-12nm；

在所述Cu₃N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO₂薄膜，其中所述第一TiO₂薄膜的厚度为12-15nm；

在所述第一TiO₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn₃N₄薄膜，其中所述Zn₃N₄薄膜的厚度为10-12nm；

在所述Zn₃N₄薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜，其中所述第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜的厚度为10-12nm；

在所述第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二TiO₂薄膜，其中所述第二TiO₂薄膜的厚度为10-12nm；

在所述第二TiO₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积Fe₃N薄膜，其中所述Fe₃N薄膜的厚度为7-9nm；

在所述Fe₃N薄膜上通过磁控溅射方法沉积Al₂O₃薄膜，其中所述Al₂O₃薄膜的厚度为7-9nm；以及

在所述Al₂O₃薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二Li₄Ti₅O₁₂薄膜，其中第二Li₄Ti₅O₁₂薄膜的厚度为7-9nm。

2.如权利要求1所述的用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺，其特征在于：在基片上通过磁控溅射方法沉积Cu₃N薄膜的具体工艺为：利用射频磁控溅射在基片上沉积Cu₃N薄膜，溅射靶材为金属Cu靶，溅射功率为100-200W，溅射电压为50-100V，溅射气氛为氮气，氮气流量为30-50sccm，基片温度为300-400℃。

3.如权利要求1所述的用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺，其特征在于：在所述Cu₃N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO₂薄膜的具体工艺为：利用射频磁控溅射在所述Cu₃N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO₂薄膜，溅射靶材为TiO₂靶材，溅射功率为150-250W，溅射电压为70-120V，溅射气氛为氩气，氩气流量为30-50sccm，基片温度为300-400℃。

4.如权利要求1所述的用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺，其特征在于：在所述第一TiO₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn₃N₄薄膜的具体工艺为：利用射频磁控溅射在所述第一TiO₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn₃N₄薄膜，溅射靶材为金属Zn靶，溅射功率为50-100W，溅射电压为60-80V，溅射气氛为氮气，氮气流量为40-60sccm，基片温度为200-300℃。