[发明专利]一种半导体器件及形成方法在审
| 申请号： | 201910517010.5 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN112086398A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 韩亮;王海英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋;方岩 |
| 地址： | 102600 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，先在第一堆叠结构上沉积第一氧化层，在第一堆叠结构之间形成气隙，再对第一堆叠结构进行平坦化处理，平坦化处理使得第一堆叠结构的上表面下移，使得堆叠结构的顶部更靠近气隙，在气隙的大小不变的情况下，能够提高气隙占相邻第一堆叠结构之间的空间的比例，气隙的介电常数低，气隙的比例提高能够降低相邻第一堆叠结构之间的第一氧化层和气隙的平均介电常数。进而，能够降低相邻第一堆叠结构之间的电容，降低相邻第一堆叠结构之间发生编程串扰的几率。从而，能够提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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