[发明专利]一种半导体器件及形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括单元区，所述单元区的半导体衬底上形成有多个分立的第一堆叠结构；

形成第一氧化层，以在所述第一堆叠结构之间形成气隙，所述第一氧化层至少覆盖所述第一堆叠结构；

进行平坦化处理，以露出所述第一堆叠结构；

在所述第一堆叠结构上进行金属原子扩散，以形成金属硅化物层；

形成第二氧化层，所述第二氧化层至少覆盖所述金属硅化物层和所述第一氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物层的下表面低于所述气隙的顶部。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括外围区，所述外围区的半导体衬底上形成有多个第二堆叠结构，所述第二堆叠结构和所述第一堆叠结构之间形成有沟槽；

在所述形成第一氧化层后，所述方法还包括：

在所述沟槽的侧壁和所述第二堆叠结构的侧壁形成侧墙；

形成覆盖所述第一氧化层、所述侧墙和所述第三堆叠结构的停止层；

形成填充所述沟槽的保护层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述进行平坦化处理具体为：

采用化学机械化研磨工艺依次研磨去除所述第一堆叠结构上方的所述停止层和所述第一氧化层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述进行平坦化处理后，所述方法还包括：

去除所述保护层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层为氧化硅，所述形成第一氧化层具体为：

采用等离子增强化学气相沉积工艺形成所述第一氧化层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一堆叠结构包括依次叠置的浮栅、栅介质层和控制栅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二堆叠结构包括依次叠置的浮栅、栅介质层和控制栅，其中，所述浮栅和所述控制栅电连接。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一堆叠结构上进行金属原子扩散包括：

在所述第一堆叠结构上沉积金属层；

退火处理，以使金属原子扩散，形成金属硅化物层；

去除多余的所述金属层。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括单元区，所述单元区内的半导体衬底上形成有多个分立的第一堆叠结构；

第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一堆叠结构的侧壁和所述第一堆叠结构之间的半导体衬底；

金属硅化物层，所述金属硅化物层形成在所述第一堆叠结构的顶部，其中，所述金属硅化物层的上表面和第一氧化层的上表面基本平齐；

第二氧化层，所述第二氧化层至少覆盖所述金属硅化物层和所述第一氧化层；

气隙，所述气隙位于相邻所述第一堆叠结构之间的所述第一氧化层中。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述气隙的上表面高于所述第一堆叠结构的上表面。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底还包括外围区，所述外围区的半导体衬底上形成有多个第二堆叠结构，所述第二堆叠结构和所述第一堆叠结构之间形成有沟槽，所述半导体器件还包括：

侧墙，所述侧墙覆盖所述沟槽的侧壁和所述第二堆叠结构的侧壁；

停止层，所述停止层覆盖所述侧墙和所述沟槽底部的所述半导体衬底。