[发明专利]MOS器件、反相器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910506080.0 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN112086518A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8238;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS器件、反相器及其制备方法，MOS器件包括：半导体衬底；栅间介电层，位于半导体衬底的表面；栅极层，位于栅间介电层远离半导体衬底的表面；侧墙，位于栅间介电层与所述栅极层构成的叠层结构相对的两侧；栅极沟道层，位于半导体衬底内，且位于栅间介电层的下方；源极，位于半导体衬底内，且位于栅极沟道层的一侧；漏极，位于半导体衬底内，且位于栅极沟道层远离所述源极的一侧；栅极沟道层、源极及漏极具有相同的离子掺杂类型。本发明的MOS器件中栅极沟道层的离子掺杂类型与源极及漏极的离子掺杂类型相同，栅极沟道层无需经由外加电场转换成反型离子而产生导电层，使得MOS器件的功耗更低、响应速度更快、制程更简易。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 反相器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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