[发明专利]MOS器件、反相器及其制备方法

权利要求书

1.一种MOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

栅间介电层，位于所述半导体衬底的表面；

栅极层，位于所述栅间介电层远离所述半导体衬底的表面；

侧墙，位于所述栅间介电层与所述栅极层构成的叠层结构相对的两侧；

栅极沟道层，位于所述半导体衬底内，且位于所述栅间介电层的下方；

源极，位于所述半导体衬底内，且位于所述栅极沟道层的一侧；

漏极，位于所述半导体衬底内，且位于所述栅极沟道层远离所述源极的一侧；

所述栅极沟道层、所述源极及所述漏极具有相同的离子掺杂类型。

2.根据权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述栅极沟道层、所述源极及所述漏极的离子掺杂类型均为P型或N型。

3.根据权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述MOS器件还包括：

栅极连接介面层，位于所述栅极层远离所述栅间介电层的表面；

源极连接介面层，位于所述源极的表面；

漏极连接介面层，位于所述漏极的表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的MOS器件，其特征在于，所述源极的离子掺杂浓度及所述漏极的离子掺杂浓度均大于所述栅极沟道层的离子掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的MOS器件，其特征在于，所述栅极沟道层内的离子掺杂浓度包括1×10¹¹/cm³～3×10¹⁴/cm³；所述源极及所述漏极内的离子掺杂浓度包括1×10¹⁷/cm³～3×10²⁰/cm³。

6.一种MOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底；

于所述半导体衬底内形成栅极沟道层；

于所述栅极沟道层的表面形成栅间介电层；

于所述栅间介电层远离所述半导体衬底的表面形成栅极层；

于所述栅极沟道层相对两侧的所述半导体衬底内分别形成源极及漏极；所述栅极及所述漏极与所述栅极沟道层具有相同的离子掺杂类型；

于所述栅间介电层与所述栅极层构成的叠层结构相对的两侧形成侧墙。

7.根据权利要求6所述的MOS器件的制备方法，其特征在于，于所述栅间介电层与所述栅极层构成的叠层结构相对的两侧形成所述侧墙之后还包括如下步骤：

于所述栅极层远离所述栅间介电层的表面形成栅极连接介面层，于所述源极的表面形成源极连接介面层，并于所述漏极的表面形成漏极连接介面层。

8.根据权利要求6或7所述的MOS器件的制备方法，其特征在于，采用离子注入工艺于所述半导体衬底内形成所述栅极沟道层；采用离子注入工艺于所述栅极沟道层相对两侧的所述半导体衬底内形成所述源极及所述漏极；所述源极的离子掺杂浓度及所述漏极的离子掺杂浓度均大于所述栅极沟道层的离子掺杂浓度。

9.根据权利要求8所述的MOS器件的制备方法，其特征在于，所述栅极沟道层内的离子掺杂浓度包括1×10¹¹/cm³～3×10¹⁴/cm³；所述源极及所述漏极内的离子掺杂浓度包括1×10¹⁷/cm³～3×10²⁰/cm³。