[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成自衬底内部向衬底表面依次层叠的漏极掺杂层、沟道掺杂层以及源极掺杂层；形成位于所述沟道掺杂层下方且至少部分位于所述漏极掺杂层内的位线，以及贯穿所述位线的第一隔离结构，所述位线和第一隔离结构沿第一方向延伸；在所述衬底内形成沿第一方向延伸的位于所述位线两侧的第三隔离结构；在所述衬底内形成位于所述沟道掺杂层内的字线结构，以及贯穿所述字线结构的第二隔离结构，所述字线结构和第二隔离结构沿第二方向延伸。上述方法形成的存储器的存储密度提高。