[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成自衬底内部向衬底表面依次层叠的漏极掺杂层、沟道掺杂层以及源极掺杂层；形成位于所述沟道掺杂层下方且至少部分位于所述漏极掺杂层内的位线，以及贯穿所述位线的第一隔离结构，所述位线和第一隔离结构沿第一方向延伸；在所述衬底内形成沿第一方向延伸的位于所述位线两侧的第三隔离结构；在所述衬底内形成位于所述沟道掺杂层内的字线结构，以及贯穿所述字线结构的第二隔离结构，所述字线结构和第二隔离结构沿第二方向延伸。上述方法形成的存储器的存储密度提高。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

在DRAM目前工艺技术发展上，为了降低存储单元的面积，提高存储单元的密度，是非常重要的课题。在现有的存储器形成工艺基础上，受到工艺节点的限制，存储单元的面积很难再进一步地降低。

在DRAM存储器中，每个存储单元均包括一存储电容和一存取晶体管，通过所述存取晶体管控制存储单元的数据写入或读取。在降低存储单元面积日益困难的情况下，通过改变所述存取晶体管的结构，可以作为提高存储器存储密度的重要方法之一。

如何改变存取晶体管的结构来提高存储器的存储密度，是目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种存储器及其形成方法，提高存储器的存储密度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种存储器的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成自衬底内部向衬底表面依次层叠的漏极掺杂层、沟道掺杂层以及源极掺杂层；形成位于所述沟道掺杂层下方且至少部分位于所述漏极掺杂层内的位线，以及贯穿所述位线的第一隔离结构，所述位线和第一隔离结构沿第一方向延伸；在所述衬底内形成沿第一方向延伸的位于所述位线两侧的第三隔离结构；在所述衬底内形成位于所述沟道掺杂层内的字线结构，以及贯穿所述字线结构的第二隔离结构，所述字线结构和第二隔离结构沿第二方向延伸。

可选的，所述位线和所述第一隔离结构的形成方法包括：在所述衬底内形成若干沿第一方向延伸的第一沟槽，所述第一沟槽包括位于所述沟道掺杂层下方且至少部分位于所述漏极掺杂层内的位线槽、位于所述位线槽上方且与所述位线槽连通的第一分割槽，所述位线槽宽度大于所述第一分割槽宽度；在所述位线槽内形成位线；加深所述第一分割槽，形成贯穿所述位线至所述漏极掺杂层下方的第一隔离槽，并且在所述第一隔离槽内形成第一隔离结构。

可选的，所述第一沟槽的形成方法包括：采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述衬底，形成若干沿第一方向延伸的第一分割槽；在所述第一分割槽侧壁形成第一保护层；采用各向同性刻蚀工艺，沿所述第一分割槽底部刻蚀所述衬底，形成所述位线槽。

可选的，所述字线结构和所述第二隔离结构的形成方法包括：在所述衬底内形成若干沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第二沟槽包括位于所述沟道掺杂层内的字线槽、位于所述字线沟槽上方与所述字线沟槽连通的第二分割槽，所述字线槽宽度大于所述第二分割槽宽度；在所述字线沟槽内形成至少覆盖字线沟槽部分内壁的栅介质层以及位于所述栅介质层表面的字线；加深所述第二分割槽底部，形成贯穿所述字线的第二隔离槽，并且在所述第二隔离槽内形成第二隔离结构。

可选的，所述第二沟槽的形成方法包括：采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述衬底，形成若干沿第二方向延伸的第二分割槽；在所述第二分割槽侧壁形成第二保护层；采用各向同性刻蚀工艺，沿所述第二分割槽底部刻蚀所述衬底，形成所述字线槽。

可选的，还包括：在所述衬底内形成位于所述漏极掺杂层下方的隔离掺杂层；部分所述位线位于所述隔离掺杂层内。

可选的，还包括：在所述字线结构底部与所述位线之间形成掺杂区，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述漏极掺杂层的掺杂浓度，且与所述漏极掺杂层具有相同的掺杂类型。