[发明专利]半导体装置的制造方法在审

申请号：	201910486151.5	申请日：	2019-06-05
公开（公告）号：	CN110581064A	公开（公告）日：	2019-12-17
发明（设计）人：	渡边健一	申请（专利权）人：	住友电工光电子器件创新株式会社
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027;H01L21/28
代理公司：	11219 中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	赵晶;高培培
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。
搜索关键词：	光致抗蚀剂欧姆电极阻挡金属层开口图案开口蚀刻半导体基板半导体装置紫外线固化热处理膜形成覆盖制造
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【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；/n形成将所述欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；/n在所述SiN膜上形成具有与所述欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；/n对所述第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；/n在从所述开口图案露出的所述SiN膜形成开口并使所述欧姆电极的表面在该开口内露出的工序；/n在所述第一光致抗蚀剂上及从所述开口露出的所述欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；/n在所述开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；/n对所述第二光致抗蚀剂进行热处理并利用所述第二光致抗蚀剂将与所述开口重叠的所述阻挡金属层覆盖的工序；及/n使用所述第二光致抗蚀剂对所述阻挡金属层进行蚀刻的工序。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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