[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；

形成将所述欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；

在所述SiN膜上形成具有与所述欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；

对所述第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；

在从所述开口图案露出的所述SiN膜形成开口并使所述欧姆电极的表面在该开口内露出的工序；

在所述第一光致抗蚀剂上及从所述开口露出的所述欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；

在所述开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；

对所述第二光致抗蚀剂进行热处理并利用所述第二光致抗蚀剂将与所述开口重叠的所述阻挡金属层覆盖的工序；及

使用所述第二光致抗蚀剂对所述阻挡金属层进行蚀刻的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体装置的制造方法在对所述第一光致抗蚀剂进行紫外线固化之前还包括对所述第一光致抗蚀剂进行热处理的工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述阻挡金属层具有彼此层叠的Ti层、TiWN层及TiW层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述SiN膜的厚度为30nm～50nm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第二光致抗蚀剂为紫外线抗蚀剂，

对于所述第二光致抗蚀剂的热处理在140℃以上实施。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在形成所述欧姆电极之前在所述半导体基板上形成半导体层叠体的工序，

其中，所述欧姆电极与所述半导体层叠体相接触。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在形成所述欧姆电极之前在所述半导体层叠体上形成具有第二开口的绝缘膜的工序，

其中，所述欧姆电极位于所述第二开口之中。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，

其中，通过低压化学气相沉积法来形成所述绝缘膜。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，在对所述阻挡金属层进行蚀刻之后，形成在所述开口的缘部和所述第二光致抗蚀剂的端部之间的间隙，以及

其中，所述间隙的宽度是100nm以下。

10.一种半导体装置的制造方法，包括以下各工序：

在半导体基板上形成半导体层叠体；

在所述半导体层叠体上形成包含Al的欧姆电极；

形成覆盖所述欧姆电极的SiN膜；

在所述SiN膜上形成具有与所述欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂；

以第一温度对所述第一光致抗蚀剂进行第一热处理；

对所述第一光致抗蚀剂进行紫外线固化；

在所述SiN膜中形成开口，以使得在与所述开口图案重叠的所述开口内部露出所述欧姆电极的表面；

在所述第一光致抗蚀剂上以及从所述开口露出的所述欧姆电极上形成阻挡金属层；

在所述开口图案中形成第二光致抗蚀剂；

以第二温度对所述第二光致抗蚀剂进行第二热处理，以利用所述第二光致抗蚀剂将所述阻挡金属层中的与所述开口重叠的一部分覆盖；以及

使用所述第二光致抗蚀剂对所述阻挡金属层进行蚀刻，

其中，所述第二温度高于所述第一温度。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

在对所述第一光致抗蚀剂进行紫外线固化之后，进行所述第一热处理的执行。