[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

从导电性等的观点出发，半导体装置的配线及欧姆电极有时使用Al(铝)。例如日本特开平4-162531号公报公开了如下内容，将由Al膜或以Al为主成分的合金膜构成的第一层设置于半导体基板中的扩散层的表面上。

在包含Al的配线及欧姆电极中，处于在半导体装置的制造中产生小丘的倾向。例如，在包含Al的欧姆电极上的阻挡金属膜与覆盖该配线的绝缘膜之间等产生间隙的情况下，在该间隙会产生上述小丘。这样的小丘的产生能成为配线或电极的短路的原因，因此不优选。

发明内容

本发明的一方案的半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口并使欧姆电极的表面在该开口内露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理并利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。

附图说明

图1是表示通过实施方式的制造方法制造的半导体装置的一例的剖视图。

图2的(a)～图2的(c)是说明实施方式的半导体装置的一部分的制造方法的图。

图3的(a)～图3的(c)是说明实施方式的半导体装置的一部分的制造方法的图。

图4的(a)、图4的(b)是说明实施方式的半导体装置的一部分的制造方法的图。

图5的(a)～图5的(c)是说明实施方式的半导体装置的一部分的制造方法的图。

具体实施方式

[本公开的实施方式的说明]

首先，列举本公开的实施方式的内容进行说明。

本公开的一实施方式涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口并使欧姆电极的表面在该开口内露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理并利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。

也可以是，上述制造方法在对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化之前还包括对第一光致抗蚀剂进行热处理的工序。

也可以是，阻挡金属层具有彼此层叠的Ti层、TiWN层及TiW层。

也可以是，SiN膜的厚度为30nm～50nm。

也可以是，第二光致抗蚀剂为紫外线抗蚀剂，对于第二光致抗蚀剂的热处理在140℃以上实施。

[本公开的实施方式的详情]