[发明专利]一种高熵氧化物陶瓷的制备方法

摘要

本发明公开了一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，包括以下步骤：步骤1：按照金属原子摩尔比为1:1:1:1或1:1:1:1:1的比例分别称取4种或5种以下金属氧化物粉体；氧化物粉体包括：MgO、ZnO、NiO、CuO、CaO、CoO、ZrO2、CeO2、Al2O3、Gd2O3、La2O3、Er2O3、Y2O3、Fe2O3、Co3O4、CaCO3；步骤2：对步骤1中称取的粉体进行球磨、烘干、造粒；步骤3：将造粒后的粉体进行压制成型，得到生坯；步骤4：将步骤3得到的生坯热处理；步骤5：将步骤4热处理后的生坯升温达到预设温度，对试样施加预设电场强度的电场，出现闪烧后电源由恒压状态转变为恒流状态，在预设电流密度下保温1～60 min，随后淬冷即可得到所需高熵氧化物陶瓷；本发明采用闪烧制备高熵氧化物陶瓷，显著降低烧结温度和缩短烧结时间。

主权项

1.一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按照金属原子摩尔比为1:1:1:1或1:1:1:1:1的比例分别称取4种或5种以下金属氧化物粉体；氧化物粉体包括：MgO、ZnO、NiO、CuO、CaO、CoO、ZrO₂、CeO₂、Al₂O₃、Gd₂O₃、La₂O₃、Er₂O₃、Y₂O₃、Fe₂O₃、Co₃O₄、CaCO₃；步骤2：对步骤1中称取的粉体进行球磨、烘干、造粒；步骤3：将造粒后的粉体进行压制成型，得到生坯；步骤4：将步骤3得到的生坯热处理；步骤5：将步骤4热处理后的生坯升温达到预设温度，对试样施加预设电场强度的电场，出现闪烧后电源由恒压状态转变为恒流状态，在预设电流密度下保温1～60min，随后淬冷即可得到所需高熵氧化物陶瓷；预设电场强度为10‑1000V/cm，预设电流密度为10‑3000mA/mm²。