[发明专利]一种高熵氧化物陶瓷的制备方法有效
| 申请号: | 201910485418.9 | 申请日: | 2019-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN110204328B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | 刘金铃;刘佃光;赵科 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
| 主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/04;C04B35/45;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 王沙沙 |
| 地址: | 610031 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化物 陶瓷 制备 方法 | ||
本发明公开了一种高熵氧化物陶瓷的制备方法,包括以下步骤:步骤1:按照金属原子摩尔比为1:1:1:1或1:1:1:1:1的比例分别称取4种或5种以下金属氧化物粉体;氧化物粉体包括:MgO、ZnO、NiO、CuO、CaO、CoO、ZrO2、CeO2、Al2O3、Gd2O3、La2O3、Er2O3、Y2O3、Fe2O3、Co3O4、CaCO3;步骤2:对步骤1中称取的粉体进行球磨、烘干、造粒;步骤3:将造粒后的粉体进行压制成型,得到生坯;步骤4:将步骤3得到的生坯热处理;步骤5:将步骤4热处理后的生坯升温达到预设温度,对试样施加预设电场强度的电场,出现闪烧后电源由恒压状态转变为恒流状态,在预设电流密度下保温1~60 min,随后淬冷即可得到所需高熵氧化物陶瓷;本发明采用闪烧制备高熵氧化物陶瓷,显著降低烧结温度和缩短烧结时间。
技术领域
本发明涉及陶瓷材料制备技术领域,具体涉及一种高熵氧化物陶瓷的制备方法。
背景技术
高熵陶瓷材料指三种以上金属元素和1种非金属元素组成的具有单一晶体结构的陶瓷材料。其中,各金属元素的摩尔百分数基本一致。目前,已有报道的高熵陶瓷主要包括高熵氧化物、高熵硼化物、高熵碳化物和高熵硅化物。高熵陶瓷材料因具有较高的熵值,具有较大晶格畸变,显示了独特的力学、电学和光学性能。
目前制备高熵氧化物陶瓷的方法一般是固相烧结,将二元氧化物粉末混合并在高温下烧结,让原子发生充分的扩散和混合。但是,这种固相烧结一般需要较长的时间;例如,利用MgO、NiO、CoO、CuO、ZnO等粉体在1000oC条件下合成Mg0.2Ni0.2Co0.2Cu0.2Zn0.2O需要12小时[C.M. Rost, E. Sachet, T. Borman, et al., Entropy-stabilized oxides, Nat.Commun. 6 (2015) 8485.]。此外,雾化喷雾热解、火焰喷雾热解及反共沉淀法也用于合成高熵氧化物粉体[A. Sarkar, R. Djenadic, N.J. Usharani, et al., Nanocrystallinemulticomponent entropy stabilised transition metal oxides, J. Eur. Ceram.Soc. 37(2) (2017) 747-754.]。雾化喷雾热解、火焰喷雾热解具有合成时间短、快速淬冷等优势,适合合成高熵氧化物粉体。但是上述方法仅适用于合成高熵氧化物粉体,不适用于高熵氧化物陶瓷的制备。
发明内容
本发明提供一种制备工艺简单、烧结温度低、烧结时间短的高熵氧化物陶瓷的制备方法。
本发明采用的技术方案是:一种高熵氧化物陶瓷的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:按照金属原子摩尔比为1:1:1:1或1:1:1:1:1的比例分别称取4种或5种以下金属氧化物粉体;氧化物粉体包括:MgO、ZnO、NiO、CuO、CaO、CoO、ZrO2、CeO2、Al2O3、Gd2O3、La2O3、Er2O3、Y2O3、Fe2O3、Co3O4、CaCO3;
步骤2:对步骤1中称取的粉体进行球磨、烘干、造粒;
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