[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910459891.X | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN112018163A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；刻蚀所述基底，形成衬底和位于所述衬底上的鳍部，所述鳍部中靠近所述鳍部顶部的侧壁上形成有侧壁防穿通区，所述侧壁防穿通区中含有第二型离子，所述第二型离子与第一型晶体管的掺杂离子不同；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述侧壁防穿通区的部分侧壁；在所述栅极结构两侧的所述鳍部中形成源漏掺杂区，所述源漏掺杂区中形成有第一型离子。本发明，与在鳍部侧壁上不形成侧壁防穿通区的情况相比，使得源漏掺杂区中的源极和漏极的耗尽层在所述鳍部侧壁上不易扩展，进而降低了源极和漏极发生穿通的概率，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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