[发明专利]一种碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910458082.7 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110212020A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;张艺蒙;王悦湖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：栅介质层；基区，包括第一基区和第二基区，分别位于栅介质层的两侧；电流扩散层，位于栅介质层和第二基区之间；漂移层，位于基区和电流扩散层的下表面；衬底层，位于漂移层的下表面；漏极，位于衬底层的下表面；多晶硅层，位于栅介质层的内表面；栅极，位于多晶硅层的上表面；第一源区，位于基区的预设区域的上表面；第二源区，位于基区的其余区域的上表面；源极，位于第一源区和第二源区的上表面。本发明的这种MOSFET器件，通过改变单侧P型基区的结构，在不增大器件元胞面积的情况下，降低了槽栅拐角的电场聚集，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基区 栅介质层 上表面 源区 下表面 电流扩散层 多晶硅层 基区结构 衬底层 漂移层 碳化硅 制备 电场聚集 击穿电压 器件元胞 预设区域 内表面 拐角 槽栅 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，包括：栅介质层；基区，包括第一基区和第二基区，分别位于所述栅介质层的两侧；电流扩散层，位于所述栅介质层和所述第二基区之间；漂移层，位于所述基区和所述电流扩散层的下表面；衬底层，位于所述漂移层的下表面；漏极，位于所述衬底层的下表面；多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面；第一源区，位于所述基区的预设区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。
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