[发明专利]一种碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，包括：

栅介质层；

基区，包括第一基区和第二基区，分别位于所述栅介质层的两侧；

电流扩散层，位于所述栅介质层和所述第二基区之间；

漂移层，位于所述基区和所述电流扩散层的下表面；

衬底层，位于所述漂移层的下表面；

漏极，位于所述衬底层的下表面；

多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；

栅极，位于所述多晶硅层的上表面；

第一源区，位于所述基区的预设区域的上表面；

第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；

源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，所述衬底层为N型掺杂的SiC衬底。

3.根据权利要求2所述的碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，所述漂移层的厚度为8～10μm。

4.根据权利要求1所述的碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，所述第二基区为截面为L形的P型基区。

5.根据权利要求4所述的碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，所述第一基区和所述第二基区的掺杂元素均为B元素或Al元素。

6.根据权利要求5所述的碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，所述B元素或者所述Al元素的掺杂浓度均为1×10¹⁷～3×10¹⁷/cm³。

7.根据权利要求1所述的碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，所述第一源区的掺杂元素为B元素或Al元素。

8.根据权利要求1所述的碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，所述第二源区的掺杂元素为P元素或N元素。

9.根据权利要求1所述的碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，所述源极和所述漏极的材料均为Ni/Ti/Ni/Ag叠层金属材料；所述栅极的材料为Al。

10.一种碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底层的上表面生长漂移层；

在所述漂移层的上表面生长基区；

在所述基区的预设区域生长第一源区；

在所述基区的其余区域生长第二源区；

刻蚀所述第二源区，直到所述第二漂移层和所述基区中，形成沟槽；

在所述沟槽的底部淀积电流扩散层；

在所述电流扩散层的上表面以及所述沟槽的其余区域的内表面氧化形成栅介质层；

在所述栅介质层内生长多晶硅层；

在所述多晶硅层的上表面制备形成栅极；在所述第一源区和所述第二源区的上表面制备形成源极；在所述衬底层的下表面制备形成漏极。

在所述多晶硅层的上表面制备形成栅极；在所述第一源区和所述第二源区的上表面制备形成源极；在所述衬底层的下表面制备形成漏极。