[发明专利]LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro-LED显示装置

摘要

本发明实施例提供一种LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro‑LED显示装置，涉及显示技术领域，可以解决LED芯片侧壁受损形成漏电通道，进而影响LED芯片的发光效率的问题。该LED芯片包括依次层叠设置的第一电极、第一半导体图案、发光图案、第二半导体图案以及第二电极；第一电极与第一半导体图案接触，第二电极与第二半导体图案接触，第二电极为透明电极；第一半导体图案和/或第二半导体图案在发光图案上的正投影的边界位于发光图案的边界以内；第一半导体图案、第二半导体图案以及发光图案沿LED芯片的厚度方向具有重叠区域；第一半导体图案为n型半导体，第二半导体图案为p型半导体；或者，第一半导体图案为p型半导体，第二半导体图案为n型半导体。

主权项

1.一种LED芯片，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、第一半导体图案、发光图案、第二半导体图案以及第二电极；所述第一电极与所述第一半导体图案接触，所述第二电极与所述第二半导体图案接触，所述第二电极为透明电极；所述第一半导体图案和/或所述第二半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界位于所述发光图案的边界以内；所述第一半导体图案、所述第二半导体图案以及所述发光图案沿所述LED芯片的厚度方向具有重叠区域；其中，所述第一半导体图案为n型半导体，所述第二半导体图案为p型半导体；或者，所述第一半导体图案为p型半导体，所述第二半导体图案为n型半导体。