[发明专利]LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro-LED显示装置

说明书

本发明实施例提供一种LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro‑LED显示装置，涉及显示技术领域，可以解决LED芯片侧壁受损形成漏电通道，进而影响LED芯片的发光效率的问题。该LED芯片包括依次层叠设置的第一电极、第一半导体图案、发光图案、第二半导体图案以及第二电极；第一电极与第一半导体图案接触，第二电极与第二半导体图案接触，第二电极为透明电极；第一半导体图案和/或第二半导体图案在发光图案上的正投影的边界位于发光图案的边界以内；第一半导体图案、第二半导体图案以及发光图案沿LED芯片的厚度方向具有重叠区域；第一半导体图案为n型半导体，第二半导体图案为p型半导体；或者，第一半导体图案为p型半导体，第二半导体图案为n型半导体。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro-LED显示装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种能够将电能转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管的发光原理是电子和空穴复合发光。

发光二极管具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配及可靠性高等优点，目前常作为光源被广泛应用。随着LED技术的成熟，直接使用LED作为亚像素的LED显示装置或Micro-LED(微型LED)显示装置逐渐发展起来。

发明内容

本发明的实施例提供一种LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro-LED显示装置，可以解决LED芯片侧壁受损形成漏电通道，进而影响LED芯片的发光效率的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种LED芯片，包括依次层叠设置的第一电极、第一半导体图案、发光图案、第二半导体图案以及第二电极；所述第一电极与所述第一半导体图案接触，所述第二电极与所述第二半导体图案接触，所述第二电极为透明电极；所述第一半导体图案和/或所述第二半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界位于所述发光图案的边界以内；所述第一半导体图案、所述第二半导体图案以及所述发光图案沿所述LED芯片的厚度方向具有重叠区域；其中，所述第一半导体图案为n型半导体，所述第二半导体图案为p型半导体；或者，所述第一半导体图案为p型半导体，所述第二半导体图案为n型半导体。

在一些实施例中，所述第二半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界位于所述发光图案的边界以内；所述第一半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界与所述发光图案的边界重叠。

在一些实施例中，所述第二半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界与靠近该边界的所述发光图案的边界沿第一方向的距离为所述第二半导体图案沿所述第一方向的长度的0.5倍～3倍。

在一些实施例中，所述LED芯片还包括设置在所述第二半导体图案上的黑矩阵图案；所述第二半导体图案在所述黑矩阵图案上的正投影位于所述黑矩阵图案的镂空区域内。

在一些实施例中，所述第一电极为反射电极。

第二方面，提供一种芯片晶圆，包括衬底以及设置在所述衬底上的多个上述的LED芯片；第一半导体图案与所述衬底接触，第一电极穿过所述衬底上的过孔与所述第一半导体图案接触。

第三方面，提供一种Micro-LED显示装置，包括电路基板以及设置在所述电路基板上的多个上述的LED芯片。